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公开(公告)号：CN101698932B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910236797.4
申请日：2009-10-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种制备P型掺钴氧化锌薄膜的方法。本发明通过以ZnO和Co2O3为原料经研磨混合、烧结、研磨、压制、烧结，得到Zn0.9Co0.1O陶瓷靶材；再利用Zn0.9Co0.1O陶瓷靶材，采用脉冲激光沉积法制备P型掺钴氧化锌薄膜。本发明具有操作简单易行，重复率高，所制得的稀磁半导体薄膜不仅结晶质量好、表面光滑，最重要的是成功使得n型本征ZnO转变为P型掺杂ZnO基稀磁半导体材料，为下一步制备具有稀磁特性的ZnO基同质P-N结的应用创造了良好的前提条件。
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公开(公告)号：CN101921986A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010233272.8
申请日：2010-07-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌掺杂同质PN结及其制备方法，由ZnO掺钴薄膜作为P型结，ZnO掺铟镓薄膜作为N型结，P型的ZnO掺钴薄膜在附着在衬底基片上，N型ZnO掺铟镓薄膜附在P型的ZnO掺钴薄膜上，P型的ZnO掺钴薄膜的部分被N型ZnO掺铟镓薄膜覆盖；其制备方法通过脉冲激光沉积法来制备的，采用如下技术方案实现：先采用固体反应烧结法制备Zn0.9Co0.1O和In0.8Ga0.1Zn0.1O陶瓷靶材，再采用脉冲激光沉积法分别制备P型掺钴氧化锌薄膜和N型掺铟镓氧化锌薄膜，形成同质p-n结。本发明结晶质量好、表面光滑，具有纳米结构。
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公开(公告)号：CN101698932A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910236797.4
申请日：2009-10-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种制备P型掺钴氧化锌薄膜的方法。本发明通过以ZnO和Co2O3为原料经研磨混合、烧结、研磨、压制、烧结，得到Zn0.9Co0.1O陶瓷靶材；再利用Zn0.9Co0.1O陶瓷靶材，采用脉冲激光沉积法制备P型掺钴氧化锌薄膜。本发明具有操作简单易行，重复率高，所制得的稀磁半导体薄膜不仅结晶质量好、表面光滑，最重要的是成功使得n型本征ZnO转变为P型掺杂ZnO基稀磁半导体材料，为下一步制备具有稀磁特性的ZnO基同质P-N结的应用创造了良好的前提条件。
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公开(公告)号：CN101876059A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200910241599.7
申请日：2009-11-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种透明氧化物半导体InGaZn4O7薄膜的制备方法，属于薄膜材料制备领域。该制备方法的主要步骤为：采用常压固相反应烧结法制备InGaZn4O7陶瓷靶材，然后利用脉冲激光沉积方法在不同工艺参数条件下沉积InGaZn4O7薄膜。先将清洗后衬底和InGaZn4O7陶瓷靶置入真空反应室中，反应室真空度抽到一定压强后，通入一定量的氧气，使真空室的氧分压保持在1～20.0Pa，采用紫外脉冲激光器为光源，轰击制备完成的InGaZn4O7陶瓷靶，调整激光输出功率，靶基距30～50mm，沉积时间为10～120min，基片温度为室温(RT)～900℃。本发明所制备的薄膜具有平整度好、可见光透射率高与电学性能优异的特性，而且制作工艺简化，成本低，有利于促进高质量InGaZnO柔性薄膜显示器件的大规模应用。
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公开(公告)号：CN201754405U
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN201020266941.7
申请日：2010-07-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/227 , H01L21/365
Abstract: 本实用新型公开了一种氧化锌掺杂同质PN结，由ZnO掺钴薄膜作为P型结，ZnO掺铟镓薄膜作为N型结，P型的ZnO掺钴薄膜在附着在衬底基片上，N型ZnO掺铟镓薄膜附在P型的ZnO掺钴薄膜上，P型的ZnO掺钴薄膜的部分被N型ZnO掺铟镓薄膜覆盖；其制备方法通过脉冲激光沉积法来制备的，采用如下技术方案实现：先采用固体反应烧结法制备Zn0.9Co0.1O和In0.8Ga0.1Zn0.1O陶瓷靶材，再采用脉冲激光沉积法分别制备P型掺钴氧化锌薄膜和N型掺铟镓氧化锌薄膜，形成同质p-n结。本实用新型结晶质量好、表面光滑，具有纳米结构。
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