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公开(公告)号：CN104009722B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410191631.6
申请日：2014-05-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及射频集成电路领域，特别涉及一种全差分式浮地有源电感，具有宽频带、高Q(品质因子)值、可调谐的特点。本发明采用两个差分对电路配置分别提供正、负跨导，采用共栅电路结构作电流缓冲器，使由负跨导产生的电流返回到输入端。其中负跨导差分对电路采用直接交叉耦合结构，形成负阻补偿网络以抵消电流缓冲器产生的电阻，从而减小实部损耗，增大Q值。进一步地，在正跨导与负跨导之间加入反馈电阻，增大Q值。电流缓冲器与负跨导差分对电路的栅源电容之和构成了回转电容，所以浮地有源电感具有较大的等效电感值。通过调节电流源的控制电压，可调谐电感值和Q值。
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公开(公告)号：CN103943670B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410146902.6
申请日：2014-04-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/08
Abstract: 本发明公开了一种应变硅异质结双极晶体管，尤其是同时具有大电流增益和高击穿电压的超结集电区应变硅异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，并在弛豫SiGe集电区中引入n型柱区和p型柱区交替排列的超结结构，其上分别外延生长应变SiGe基区和应变Si发射区。所述晶体管在弛豫SiGe集电区上外延生长应变SiGe基区可有效提高SiGe基区内Ge含量，增大发射区和基区间的带隙差，从而达到提高发射效率、增大器件电流增益的目的。同时，所述晶体管在集电区采用超结结构，可引入横向电场，改善集电区电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的。与常规的功率异质结双极晶体管相比，所述晶体管在保持优异高频特性的同时电流增益更大，击穿电压更高，可有效拓展异质结双极晶体管在射频和微波功率领域的应用。
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公开(公告)号：CN103441141B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310322896.0
申请日：2013-07-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L29/40
Abstract: 本发明公开了一种异质结双极晶体管，尤其是超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用基区Ge组分由发射结侧向集电结侧逐渐递增的阶梯形分布结构，使器件电流增益随温度变化趋势变缓，可在宽温区内防止器件静态工作点的漂移。同时，所述晶体管还可同时提高器件的特征频率及其随温度变化的敏感性。此外，所述晶体管还采用各个发射极指的指间距由器件两侧向中心处指数增大的非均等指间距对称结构，可有效阻止外侧发射极指热量向中心处的流入，达到削减各发射极指间的热耦合效应、改善器件有源区温度分布的均匀性，进而提高功率晶体管热稳定性的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104091825B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410331788.4
申请日：2014-07-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/165
Abstract: 本发明公开了一种超结集电区SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用由n型半导体柱和p型半导体柱交替排列的超结集电区结构，引入横向电场，改善集电区电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的。基区Ge组分采用从发射结侧向集电结侧呈递增的阶梯形分布结构，引入少子加速电场，有效减小基区渡越时间，从而提高器件特征频率。器件电流增益和特征频率的温度敏感性也得到改善，有效避免了器件静态工作点的漂移，有利于器件稳定工作。与常规的功率异质结双极晶体管相比，所述晶体管既具有高击穿电压特性，又具有优异的频率特性，且器件静态工作点不易随工作偏置及工作温度的变化而发生漂移，可实现器件在亚太赫兹功率应用领域的稳定工作。
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公开(公告)号：CN103943670A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410146902.6
申请日：2014-04-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/737 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/165
Abstract: 本发明公开了一种应变硅异质结双极晶体管，尤其是同时具有大电流增益和高击穿电压的超结集电区应变硅异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，并在弛豫SiGe集电区中引入n型柱区和p型柱区交替排列的超结结构，其上分别外延生长应变SiGe基区和应变Si发射区。所述晶体管在弛豫SiGe集电区上外延生长应变SiGe基区可有效提高SiGe基区内Ge含量，增大发射区和基区间的带隙差，从而达到提高发射效率、增大器件电流增益的目的。同时，所述晶体管在集电区采用超结结构，可引入横向电场，改善集电区电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的。与常规的功率异质结双极晶体管相比，所述晶体管在保持优异高频特性的同时电流增益更大，击穿电压更高，可有效拓展异质结双极晶体管在射频和微波功率领域的应用。
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公开(公告)号：CN104091825A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410331788.4
申请日：2014-07-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/165
CPC classification number: H01L29/737 , H01L29/0821 , H01L29/1004
Abstract: 本发明公开了一种超结集电区SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用由n型半导体柱和p型半导体柱交替排列的超结集电区结构，引入横向电场，改善集电区电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的。基区Ge组分采用从发射结侧向集电结侧呈递增的阶梯形分布结构，引入少子加速电场，有效减小基区渡越时间，从而提高器件特征频率。器件电流增益和特征频率的温度敏感性也得到改善，有效避免了器件静态工作点的漂移，有利于器件稳定工作。与常规的功率异质结双极晶体管相比，所述晶体管既具有高击穿电压特性，又具有优异的频率特性，且器件静态工作点不易随工作偏置及工作温度的变化而发生漂移，可实现器件在亚太赫兹功率应用领域的稳定工作。
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公开(公告)号：CN104009722A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410191631.6
申请日：2014-05-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及射频集成电路领域，特别涉及一种全差分式浮地有源电感，具有宽频带、高Q(品质因子)值、可调谐的特点。本发明采用两个差分对电路配置分别提供正、负跨导，采用共栅电路结构作电流缓冲器，使由负跨导产生的电流返回到输入端。其中负跨导差分对电路采用直接交叉耦合结构，形成负阻补偿网络以抵消电流缓冲器产生的电阻，从而减小实部损耗，增大Q值。进一步地，在正跨导与负跨导之间加入反馈电阻，增大Q值。电流缓冲器与负跨导差分对电路的栅源电容之和构成了回转电容，所以浮地有源电感具有较大的等效电感值。通过调节电流源的控制电压，可调谐电感值和Q值。
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公开(公告)号：CN103441141A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310322896.0
申请日：2013-07-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L29/40
Abstract: 本发明公开了一种异质结双极晶体管，尤其是超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用基区Ge组分由发射结侧向集电结侧逐渐递增的阶梯形分布结构，使器件电流增益随温度变化趋势变缓，可在宽温区内防止器件静态工作点的漂移。同时，所述晶体管还可同时提高器件的特征频率及其随温度变化的敏感性。此外，所述晶体管还采用各个发射极指的指间距由器件两侧向中心处指数增大的非均等指间距对称结构，可有效阻止外侧发射极指热量向中心处的流入，达到削减各发射极指间的热耦合效应、改善器件有源区温度分布的均匀性，进而提高功率晶体管热稳定性的目的。
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