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公开(公告)号：CN103545399A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310518342.8
申请日：2013-10-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开一种行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管（DHPT）。采用双异质结结构，包括一InP发射区-InGaAsP基区构成的（e-b）异质结和一InGaAsP基区-InGaAsP集电区构成的（b-c）异质结，代替传统异质结光敏晶体管（HPT）e-b结单异质结结构；一掺杂浓度很高的InGaAsP基区作为DHPT的光吸收层；一InGaAsP基区，InGaAsP集电区和InGaAsP次集电区形成的渐变耦合脊波导结构实现被探测光被侧边探测吸收，代替传统HPT光从顶端垂直入射的方式。光传输方向与载流子传输方向垂直，能分别优化光吸收效率和工作速度。一发射极电极和集电极电极构成的行波电极，可以有效的减少传统电极在传输高频信号时的分布效应，减少寄生电容对高速传输的影响，进一步提高器件的工作速度。
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公开(公告)号：CN104009722B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410191631.6
申请日：2014-05-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及射频集成电路领域，特别涉及一种全差分式浮地有源电感，具有宽频带、高Q(品质因子)值、可调谐的特点。本发明采用两个差分对电路配置分别提供正、负跨导，采用共栅电路结构作电流缓冲器，使由负跨导产生的电流返回到输入端。其中负跨导差分对电路采用直接交叉耦合结构，形成负阻补偿网络以抵消电流缓冲器产生的电阻，从而减小实部损耗，增大Q值。进一步地，在正跨导与负跨导之间加入反馈电阻，增大Q值。电流缓冲器与负跨导差分对电路的栅源电容之和构成了回转电容，所以浮地有源电感具有较大的等效电感值。通过调节电流源的控制电压，可调谐电感值和Q值。
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公开(公告)号：CN103545399B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310518342.8
申请日：2013-10-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开一种行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管（DHPT）。采用双异质结结构，包括一InP发射区-InGaAsP基区构成的（e-b）异质结和一InGaAsP基区-InGaAsP集电区构成的（b-c）异质结，代替传统异质结光敏晶体管（HPT）e-b结单异质结结构；一掺杂浓度很高的InGaAsP基区作为DHPT的光吸收层；一InGaAsP基区，InGaAsP集电区和InGaAsP次集电区形成的渐变耦合脊波导结构实现被探测光被侧边探测吸收，代替传统HPT光从顶端垂直入射的方式。光传输方向与载流子传输方向垂直，能分别优化光吸收效率和工作速度。一发射极电极和集电极电极构成的行波电极，可以有效的减少传统电极在传输高频信号时的分布效应，减少寄生电容对高速传输的影响，进一步提高器件的工作速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104362987A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410559718.4
申请日：2014-10-18
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H03F1/0205 , H03F1/3205 , H03F3/165 , H03F2200/372 , H03G1/0029
Abstract: 超宽带可变增益放大器涉及射频集成电路技术领域。该放大器包括Cascode输入级，电流复用放大级，输出缓冲级和电流镜增益控制级。本发明采用Cascode结构实现输入匹配和噪声匹配，同时获得高增益。本发明采用两级电流复用结构将放大级和输出缓冲级连接起来，有效地降低该放大器的功耗。本发明采用电流镜增益控制结构实现增益可控，同时保证了电路的良好线性度和功率效率。
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公开(公告)号：CN103545398B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310485411.X
申请日：2013-10-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 基区渐变的单向载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器属于半导体光电子技术领域，是一种可同时实现高响应度、高截止频率的光敏晶体管(UTC-DHPT)探测器。本发明包括：一InP衬底，利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在InP衬底上依次制备出InP缓冲层、InGaAsP次集电区、InGaAsP集电区、两层不同材料带隙波长的InGaAsP过渡层、材料带隙波长渐变的InGaAsP基区、InP发射区、InP盖层、InGaAs欧姆接触层；一发射极，采用溅射的方法制作在InGaAs欧姆接触层上；一基极，采用溅射的方法制作在InGaAsP基区之上；一集电极，采用蒸镀的方法制作在InP衬底上。
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公开(公告)号：CN103545398A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310485411.X
申请日：2013-10-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 基区渐变的单向载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器属于半导体光电子技术领域，是一种可同时实现高响应度、高截止频率的光敏晶体管(UTC-DHPT)探测器。本发明包括：一InP衬底，利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在InP衬底上依次制备出InP缓冲层、InGaAsP次集电区、InGaAsP集电区、两层不同材料带隙波长的InGaAsP过渡层、材料带隙波长渐变的InGaAsP基区、InP发射区、InP盖层、InGaAs欧姆接触层；一发射极，采用溅射的方法制作在InGaAs欧姆接触层上；一基极，采用溅射的方法制作在InGaAsP基区之上；一集电极，采用蒸镀的方法制作在InP衬底上。
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公开(公告)号：CN104362987B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410559718.4
申请日：2014-10-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 超宽带可变增益放大器涉及射频集成电路技术领域。该放大器包括Cascode输入级，电流复用放大级，输出缓冲级和电流镜增益控制级。本发明采用Cascode结构实现输入匹配和噪声匹配，同时获得高增益。本发明采用两级电流复用结构将放大级和输出缓冲级连接起来，有效地降低该放大器的功耗。本发明采用电流镜增益控制结构实现增益可控，同时保证了电路的良好线性度和功率效率。
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公开(公告)号：CN104009722A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410191631.6
申请日：2014-05-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及射频集成电路领域，特别涉及一种全差分式浮地有源电感，具有宽频带、高Q(品质因子)值、可调谐的特点。本发明采用两个差分对电路配置分别提供正、负跨导，采用共栅电路结构作电流缓冲器，使由负跨导产生的电流返回到输入端。其中负跨导差分对电路采用直接交叉耦合结构，形成负阻补偿网络以抵消电流缓冲器产生的电阻，从而减小实部损耗，增大Q值。进一步地，在正跨导与负跨导之间加入反馈电阻，增大Q值。电流缓冲器与负跨导差分对电路的栅源电容之和构成了回转电容，所以浮地有源电感具有较大的等效电感值。通过调节电流源的控制电压，可调谐电感值和Q值。
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