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公开(公告)号：CN113528126A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110567609.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种铜基卤化物的制备方法及其应用。以化学计量比的CsCl、CsI、CuCl为原料经机械研磨或球磨工艺制得，其中，所述机械研磨的参数：研磨速度为1～3r/s，研磨时间为5～120分钟；所述球磨工艺参数：球料比为(10～20)：1，研磨时间为5～70分钟，研磨介质为直径5～15mm的氧化锆研磨球。本发明方法制备的Cs5Cu3Cl6I2物相纯度高、结晶性好、发光性能优异，且该方法具有工艺简单、可操作性强，生产成本低的优势。
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公开(公告)号：CN112456537B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202011347644.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种β相Cs3Cu2Cl5快速闪烁体的制备方法及X射线探测应用，其合成步骤为，将油酸铯热注射到一定温度的氯化亚铜特定溶液中，搅拌氮气氛围反应，然后提纯后处理得到β相Cs3Cu2Cl5晶体，XRD结果表明物相与目标产物一致。将β‑Cs3Cu2Cl5溶到甲苯溶液中，然后采用滴涂方法能得到面积较大厚度可调的膜，这些β‑Cs3Cu2Cl5膜具有无铅环境友好型，较大的斯托克斯位移和弱的自吸收的特点，同时具有很高的发光效率和极短的瞬态寿命等优异的光学特性；另外其在X射线照射下具有明亮的荧光和较高的光产额，将其应用于X射线成像也能得到高空间分辨率的成像结果，这些结果表明该方法制备的β‑Cs3Cu2Cl5可作为一种高性能的快速闪烁体。
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公开(公告)号：CN115975633B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202211714911.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种Mn掺杂Cs2CdCl4闪烁体。所述Mn掺杂Cs2CdCl4闪烁体以Cs2CO3、CdCl2、MnCl2为原料经溶液法搅拌后再加热制得。本发明方法制备的Mn掺杂Cs2CdCl4(Cs2CdCl4：Mn)的纯度高，且工艺简单、制备成本低、适于大批量制备生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116590003A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310529045.7
申请日：2023-05-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种有机无机杂化铜(I)卤化物闪烁体及其制备方法与应用，属于闪烁体材料技术领域。本发明有机无机杂化铜(I)卤化物闪烁体的化学通式为：AxCuyXz，其中A为PPh3CH3+或PPh3CH2CH3+，Cu为一价铜离子Cu+，X为卤素离子Br‑。本发明采用溶剂法制备的有机无机杂化铜(I)卤化物闪烁体更容易产生零维分子结构，晶格更松散柔软，因此激子‑声子耦合更强，带隙更窄，激子结合能更高，能够实现更高的PLQY和更大的斯托克斯位移，并且不含铅。以有机无机杂化铜(I)卤化物闪烁体制备的柔性闪烁屏可应用在X射线柔性探测中，具有较高的光产额、良好的X射线剂量线性响应和较低的探测限，能得到具有良好对比度的成像图片。
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公开(公告)号：CN119529838A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411717261.5
申请日：2024-11-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种石榴石结构近红外发光闪烁体，该闪烁体的制备方法采用改进的高温固相法，经过配料、研磨、预烧、高温烧结和复烧结等工艺步骤，成功制备出Cr3+和Sb3+掺杂的钪镓石榴石闪烁体。具体而言，将氧化物前驱体按化学计量比精确混合，并在高温条件下进行烧结(烧结温度为1400‑1600℃)。在这一过程中，材料的晶体结构逐渐成型，同时通过控制烧结时间和温度，促进掺杂离子均匀掺入钪镓石榴石晶格中。在晶体生长过程中，A位离子的选择和离子掺杂优化了晶格中的局部电子环境，促进了激发态能量从基质到发光中心的高效转移。在预烧，高温烧结，复烧等工艺下，晶体中掺杂离子分布更加均匀，减少非辐射复合中心的形成，提升闪烁体发光效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN115975633A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211714911.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种Mn掺杂Cs2CdCl4闪烁体。所述Mn掺杂Cs2CdCl4闪烁体以Cs2CO3、CdCl2、MnCl2为原料经溶液法搅拌后再加热制得。本发明方法制备的Mn掺杂Cs2CdCl4(Cs2CdCl4：Mn)的纯度高，且工艺简单、制备成本低、适于大批量制备生产。
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公开(公告)号：CN113528126B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202110567609.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种铜基卤化物的制备方法及其应用。以化学计量比的CsCl、CsI、CuCl为原料经机械研磨或球磨工艺制得，其中，所述机械研磨的参数：研磨速度为1～3r/s，研磨时间为5～120分钟；所述球磨工艺参数：球料比为(10～20)：1，研磨时间为5～70分钟，研磨介质为直径5～15mm的氧化锆研磨球。本发明方法制备的Cs5Cu3Cl6I2物相纯度高、结晶性好、发光性能优异，且该方法具有工艺简单、可操作性强，生产成本低的优势。
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公开(公告)号：CN112456537A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011347644.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种β相Cs3Cu2Cl5快速闪烁体的制备方法及X射线探测应用，其合成步骤为，将油酸铯热注射到一定温度的氯化亚铜特定溶液中，搅拌氮气氛围反应，然后提纯后处理得到β相Cs3Cu2Cl5晶体，XRD结果表明物相与目标产物一致。将β‑Cs3Cu2Cl5溶到甲苯溶液中，然后采用滴涂方法能得到面积较大厚度可调的膜，这些β‑Cs3Cu2Cl5膜具有无铅环境友好型，较大的斯托克斯位移和弱的自吸收的特点，同时具有很高的发光效率和极短的瞬态寿命等优异的光学特性；另外其在X射线照射下具有明亮的荧光和较高的光产额，将其应用于X射线成像也能得到高空间分辨率的成像结果，这些结果表明该方法制备的β‑Cs3Cu2Cl5可作为一种高性能的快速闪烁体。
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