公开(公告)号：CN113528126B

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202110567609.7

申请日：2021-05-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 肖家文 ,  牛晓伟 ,  韩晓东 ,  严铮洸 ,  周权

IPC: C09K11/61 ,  H01L33/50 ,  C01G3/00

Abstract: 本发明提供一种铜基卤化物的制备方法及其应用。以化学计量比的CsCl、CsI、CuCl为原料经机械研磨或球磨工艺制得，其中，所述机械研磨的参数：研磨速度为1～3r/s，研磨时间为5～120分钟；所述球磨工艺参数：球料比为(10～20)：1，研磨时间为5～70分钟，研磨介质为直径5～15mm的氧化锆研磨球。本发明方法制备的Cs5Cu3Cl6I2物相纯度高、结晶性好、发光性能优异，且该方法具有工艺简单、可操作性强，生产成本低的优势。

公开(公告)号：CN113528126A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110567609.7

申请日：2021-05-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 肖家文 ,  牛晓伟 ,  韩晓东 ,  严铮洸 ,  周权

IPC: C09K11/61 ,  H01L33/50 ,  C01G3/00

Abstract: 本发明提供一种铜基卤化物的制备方法及其应用。以化学计量比的CsCl、CsI、CuCl为原料经机械研磨或球磨工艺制得，其中，所述机械研磨的参数：研磨速度为1～3r/s，研磨时间为5～120分钟；所述球磨工艺参数：球料比为(10～20)：1，研磨时间为5～70分钟，研磨介质为直径5～15mm的氧化锆研磨球。本发明方法制备的Cs5Cu3Cl6I2物相纯度高、结晶性好、发光性能优异，且该方法具有工艺简单、可操作性强，生产成本低的优势。