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公开(公告)号：CN110578174A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910732716.3
申请日：2019-08-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种降低形核数量的钙钛矿单晶生长方法。包括水浴条件下将第一金属化合物与第二卤素酸混合溶解，并添加第三有机分子化合物制备钙钛矿粉末，洗涤干燥。用极性溶剂溶解所制备的钙钛矿粉末，并添加聚乙二醇、聚丙二醇或聚乙烯醇等含氧基团聚合物混合搅拌，加热析出钙钛矿单晶。本发明中选择将聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇或聚丙烯酸等含氧基团聚合物添加到有机溶剂中，有效降低了晶体生长过程的形核数量，进而得到大尺寸钙钛矿单晶。可以合成六种铅基有机无机钙钛矿单晶。合成方法操作简单，提高了原料的利用率，制备出的单晶尺寸大、结晶质量高、半导体性能好。为钙钛矿材料在太阳能电池、光电探测器，发光器件的运用提供基础。
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公开(公告)号：CN115975633B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202211714911.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种Mn掺杂Cs2CdCl4闪烁体。所述Mn掺杂Cs2CdCl4闪烁体以Cs2CO3、CdCl2、MnCl2为原料经溶液法搅拌后再加热制得。本发明方法制备的Mn掺杂Cs2CdCl4(Cs2CdCl4：Mn)的纯度高，且工艺简单、制备成本低、适于大批量制备生产。
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公开(公告)号：CN116590003A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310529045.7
申请日：2023-05-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种有机无机杂化铜(I)卤化物闪烁体及其制备方法与应用，属于闪烁体材料技术领域。本发明有机无机杂化铜(I)卤化物闪烁体的化学通式为：AxCuyXz，其中A为PPh3CH3+或PPh3CH2CH3+，Cu为一价铜离子Cu+，X为卤素离子Br‑。本发明采用溶剂法制备的有机无机杂化铜(I)卤化物闪烁体更容易产生零维分子结构，晶格更松散柔软，因此激子‑声子耦合更强，带隙更窄，激子结合能更高，能够实现更高的PLQY和更大的斯托克斯位移，并且不含铅。以有机无机杂化铜(I)卤化物闪烁体制备的柔性闪烁屏可应用在X射线柔性探测中，具有较高的光产额、良好的X射线剂量线性响应和较低的探测限，能得到具有良好对比度的成像图片。
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公开(公告)号：CN119529838A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411717261.5
申请日：2024-11-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种石榴石结构近红外发光闪烁体，该闪烁体的制备方法采用改进的高温固相法，经过配料、研磨、预烧、高温烧结和复烧结等工艺步骤，成功制备出Cr3+和Sb3+掺杂的钪镓石榴石闪烁体。具体而言，将氧化物前驱体按化学计量比精确混合，并在高温条件下进行烧结(烧结温度为1400‑1600℃)。在这一过程中，材料的晶体结构逐渐成型，同时通过控制烧结时间和温度，促进掺杂离子均匀掺入钪镓石榴石晶格中。在晶体生长过程中，A位离子的选择和离子掺杂优化了晶格中的局部电子环境，促进了激发态能量从基质到发光中心的高效转移。在预烧，高温烧结，复烧等工艺下，晶体中掺杂离子分布更加均匀，减少非辐射复合中心的形成，提升闪烁体发光效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN115975633A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211714911.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种Mn掺杂Cs2CdCl4闪烁体。所述Mn掺杂Cs2CdCl4闪烁体以Cs2CO3、CdCl2、MnCl2为原料经溶液法搅拌后再加热制得。本发明方法制备的Mn掺杂Cs2CdCl4(Cs2CdCl4：Mn)的纯度高，且工艺简单、制备成本低、适于大批量制备生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113528126B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202110567609.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种铜基卤化物的制备方法及其应用。以化学计量比的CsCl、CsI、CuCl为原料经机械研磨或球磨工艺制得，其中，所述机械研磨的参数：研磨速度为1～3r/s，研磨时间为5～120分钟；所述球磨工艺参数：球料比为(10～20)：1，研磨时间为5～70分钟，研磨介质为直径5～15mm的氧化锆研磨球。本发明方法制备的Cs5Cu3Cl6I2物相纯度高、结晶性好、发光性能优异，且该方法具有工艺简单、可操作性强，生产成本低的优势。
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公开(公告)号：CN113528126A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110567609.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种铜基卤化物的制备方法及其应用。以化学计量比的CsCl、CsI、CuCl为原料经机械研磨或球磨工艺制得，其中，所述机械研磨的参数：研磨速度为1～3r/s，研磨时间为5～120分钟；所述球磨工艺参数：球料比为(10～20)：1，研磨时间为5～70分钟，研磨介质为直径5～15mm的氧化锆研磨球。本发明方法制备的Cs5Cu3Cl6I2物相纯度高、结晶性好、发光性能优异，且该方法具有工艺简单、可操作性强，生产成本低的优势。
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公开(公告)号：CN110578175A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910732718.2
申请日：2019-08-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶快速生长方法，通过调控原料卤素的比例调控钙钛矿材料的禁带宽度。通过合成得到卤素混合的钙钛矿粉末并溶解到有机溶剂中，通过添加聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇或聚丙烯酸，低温加热生长出禁带宽度可调的卤素混合钙钛矿单晶。合成的碘/溴和溴/氯任意比例混合的铅基甲胺钙钛矿单晶大尺寸、形状规则、结晶性好。本发明可以任意调控铅基甲胺卤素钙钛矿单价，从1.51-2.94eV禁带宽度任意调控。实验装置简单成本低，工艺简单可靠，所得单晶结晶性好。拓宽了钙钛矿单晶材料的种类。为在光电探测器和发光器件领域，寻找更优异性能的钙钛矿材料提供了新的材料基础。
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公开(公告)号：CN104897700B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510315422.2
申请日：2015-06-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 在扫描电镜中对纳米液体样品的透射散射成像装置及方法属于电子显微分析装置技术领域，尤其涉及在扫描电镜SEM中对纳米液体样品的反射和透射散射成像技术领域，其特征在于，在SEM样品室内，在纳米液体样品的薄窗口正下方5mm～10mm处，安装一个透射散射电子探测器TSD，在入射电子能量为15keV～30keV的条件下，对密封液体中几nm～500nm的纳米颗粒形成分辨率为几nm、放大倍率为×50～×100000及像衬度好的透射散射电子像，TSD探测器适于安装在各类SEM中，与二次电子探测器ETD、能谱仪EDS和阴极荧光谱仪CL协同使用，观测金属、半导体、无机、有机、复合物、生物等类纳米材料。
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公开(公告)号：CN104897700A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510315422.2
申请日：2015-06-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 在扫描电镜中对纳米液体样品的透射散射成像装置及方法属于电子显微分析装置技术领域，尤其涉及在扫描电镜SEM中对纳米液体样品的反射和透射散射成像技术领域，其特征在于，在SEM样品室内，在纳米液体样品的薄窗口正下方5mm～10mm处，安装一个透射散射电子探测器TSD，在入射电子能量为15keV～30keV的条件下，对密封液体中几nm～500nm的纳米颗粒形成分辨率为几nm、放大倍率为×50～×100000及像衬度好的透射散射电子像，TSD探测器适于安装在各类SEM中，与二次电子探测器ETD、能谱仪EDS和阴极荧光谱仪CL协同使用，观测金属、半导体、无机、有机、复合物、生物等类纳米材料。
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