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公开(公告)号：CN114018959A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111319292.1
申请日：2021-11-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20033 , H05B3/02 , H05B3/03
Abstract: 本发明涉及透射电镜芯片技术领域，提供一种透射电镜原位原子尺度电热耦合芯片及其制备方法，所述透射电镜原位原子尺度电热耦合芯片包括基底、设置于基底上的薄膜承载层和设置于薄膜承载层上的功能层，功能层设有加热电阻、导热件和多个间隔设置的通电电极；加热电阻包括弧形部和两个延伸部，两个延伸部分别与弧形部的两端相连且相对于弧形部的对称中心线对称分布于弧形部的两侧；两个延伸部之间形成有第一通道和第二通道，第一通道与弧形部两端之间的开口连通，第二通道位于弧形部背离开口的一侧，通电电极部分位于弧形部围设的区域、开口和第一通道内，导热件部分位于第二通道内、部分延伸至加热电阻外侧。
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公开(公告)号：CN114264678B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202111656100.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20008 , H01J37/20 , H01J37/26
Abstract: 本发明提供一种原位透射电镜加热芯片及其制备方法，原位透射电镜加热芯片包括：基底，中部开设有通孔，外周设置有多个定位孔；薄膜绝缘层，薄膜绝缘层对应通孔的外周设置有隔热凹槽；加热电阻层，设置于薄膜绝缘层的顶部，加热电阻层盘绕在通孔的边缘。本发明提供的原位透射电镜加热芯片及其制备方法，通过设置通孔，减少了加热电阻层的加热体积，降低了原位透射电镜加热芯片的加热功率，减少了加热过程中芯片产生的热漂移，使得透射电镜成像更加稳定清晰；超大视场范围用于试验观察，制样更加简单、方便；隔热凹槽有效约束了加热电阻层的温度扩散，使温度尽可能集中，减少加热电阻层在加热过程中对外部电镜配件的热影响。
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公开(公告)号：CN114018959B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111319292.1
申请日：2021-11-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20033 , H05B3/02 , H05B3/03
Abstract: 本发明涉及透射电镜芯片技术领域，提供一种透射电镜原位原子尺度电热耦合芯片及其制备方法，所述透射电镜原位原子尺度电热耦合芯片包括基底、设置于基底上的薄膜承载层和设置于薄膜承载层上的功能层，功能层设有加热电阻、导热件和多个间隔设置的通电电极；加热电阻包括弧形部和两个延伸部，两个延伸部分别与弧形部的两端相连且相对于弧形部的对称中心线对称分布于弧形部的两侧；两个延伸部之间形成有第一通道和第二通道，第一通道与弧形部两端之间的开口连通，第二通道位于弧形部背离开口的一侧，通电电极部分位于弧形部围设的区域、开口和第一通道内，导热件部分位于第二通道内、部分延伸至加热电阻外侧。
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公开(公告)号：CN116242847A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211528368.6
申请日：2022-11-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及原位透射电镜技术领域，提供一种原位透射电镜电学液体芯片及其制备方法。原位透射电学液体芯片包括：功能芯片、盖板芯片和盖板；功能芯片包括：第一基底、第一薄膜承载层和金属电极层，金属电极层包括工作电极、对电极和参比电极导线；钝化保护层，部分覆盖第一薄膜承载层和金属电极层；盖板芯片包括：第二基底和第二薄膜承载层；盖板设置于功能芯片的顶部，覆盖储液槽。本发明提供的原位透射电镜电学液体芯片及其制备方法，在实现液体环境施加的基础上，将传统电化学领域的三电极测试体系引入透射电镜，可对液体环境中样品的电化学行为进行原子尺度原位动态观测的同时，完成电学信号的精确控制及采集。
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公开(公告)号：CN114264678A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111656100.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20008 , H01J37/20 , H01J37/26
Abstract: 本发明提供一种原位透射电镜加热芯片及其制备方法，原位透射电镜加热芯片包括：基底，中部开设有通孔，外周设置有多个定位孔；薄膜绝缘层，薄膜绝缘层对应通孔的外周设置有隔热凹槽；加热电阻层，设置于薄膜绝缘层的顶部，加热电阻层盘绕在通孔的边缘。本发明提供的原位透射电镜加热芯片及其制备方法，通过设置通孔，减少了加热电阻层的加热体积，降低了原位透射电镜加热芯片的加热功率，减少了加热过程中芯片产生的热漂移，使得透射电镜成像更加稳定清晰；超大视场范围用于试验观察，制样更加简单、方便；隔热凹槽有效约束了加热电阻层的温度扩散，使温度尽可能集中，减少加热电阻层在加热过程中对外部电镜配件的热影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118857918A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411081376.X
申请日：2024-08-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种透射电镜用定量化力电耦合芯片及其制备方法，属于透射电镜高分辨原位表征领域。芯片包括定量化力电耦合芯片基底和定量化力电耦合芯片器件层，其中器件层包括悬空器件层和支撑器件层，悬空器件层由通电兼样品拉伸搭载的四电极结构，通电兼样品压缩的二线法结构，测量位移的标距结构及力学缓冲结构组成，支撑器件层由悬臂支撑结构和压阻结构组成。本发明所提供的透射电镜用定量化力电耦合芯片搭载在透射电子显微镜用双轴倾转样品杆(专利号：CN205691408U)上，突破透射电镜狭小极靴空间尺寸及高真空环境限制，在保证原子尺度原位动态观测材料显微结构的前提下，进行力学和电学信号的精确控制及采集，对材料力学、电学性能进行定量化研究。
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公开(公告)号：CN111017866B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202010028237.6
申请日：2020-01-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及高温微纳实验力学装置技术领域，公开了一种力热耦合微机电系统、原位力学平台及制造方法，其中力热耦合微机电系统包括基体、T形加热端、C形加热端、内部温度约束结构和驱动端温度约束结构，T形加热端的横杆部间隔地嵌套于C形加热端中，以形成样品搭载区；纵杆部伸出C形加热端的开口侧并连接于内部温度约束结构，内部温度约束结构安装于凹槽的槽底；C形加热端连接于驱动端温度约束结构，驱动端温度约束结构安装于凹槽的槽口。该力热耦合微机电系统通过设置相互配合的T形加热端和C形加热端，可以减少加热区域热质，降低功率，减小热漂移，可以实现样品拉压、剪切等力学加载同时结合加热升温的原位原子分辨的力热耦合测试。
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公开(公告)号：CN114636714A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210151623.3
申请日：2022-02-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20033 , G01N23/20008
Abstract: 本发明提供了一种透射电镜原位气相温差芯片，包括上芯片和下芯片；所述上芯片和下芯片之间的四周封闭形成中空腔体；在所述中空腔体内，所述下芯片的上表面设有呈一字形依次排列的气体出口、第一加热区、第二加热区、第三加热区和气体进口；任一所述加热区内设有观察窗口，所述观察窗口下方设有贯穿所述下芯片的电子束视窗，所述电子束视窗内设有下薄膜窗口，所述上芯片中设有与所述下薄膜窗口相对应的上薄膜窗口。该透射电镜原位气相温差芯片的加热控温精准，成功与高压气场相耦合，多个加热区共同加热实现精准温度梯度的加载，同时能控制温度的快速响应，能够在气热双载荷下对透射电镜样品进行原位反应的高分辨率测量。
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公开(公告)号：CN111218658B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202010121353.2
申请日：2020-02-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/02 , C23C14/18 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/50 , C22F1/18 , C21D1/70 , H01B13/00 , H01B1/02
Abstract: 本发明公开了一种高电导率Mo金属薄膜结构及其制备方法和应用，其制备方法包括，在Mo金属膜表面生长保护层，随后进行高温退火处理；保护层为等离子体增强化学气相沉积法生长的100‑300nmSiO2层；高温退火处理为先抽真空至10‑4Pa，再在1750‑2400Pa氩气下800‑1100℃下退火45‑90min。本发明的方法通过在Mo金属膜表面生长保护层后进行高温退火处理，可改善其微观结构，进一步提高Mo金属薄膜结构的电学性能，实现其电阻率的有效控制；其工艺简单，工艺参数可控，重复性好，较常规制备方法而言其原料成本和加工成本大幅下降，应用前景好，能满足微机电系统和集成电路应用的需要。
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公开(公告)号：CN111218658A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010121353.2
申请日：2020-02-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/02 , C23C14/18 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/50 , C22F1/18 , C21D1/70 , H01B13/00 , H01B1/02
Abstract: 本发明公开了一种高电导率Mo金属薄膜结构及其制备方法和应用，其制备方法包括，在Mo金属膜表面生长保护层，随后进行高温退火处理；保护层为等离子体增强化学气相沉积法生长的100-300nmSiO2层；高温退火处理为先抽真空至10-4Pa，再在1750-2400Pa氩气下800-1100℃下退火45-90min。本发明的方法通过在Mo金属膜表面生长保护层后进行高温退火处理，可改善其微观结构，进一步提高Mo金属薄膜结构的电学性能，实现其电阻率的有效控制；其工艺简单，工艺参数可控，重复性好，较常规制备方法而言其原料成本和加工成本大幅下降，应用前景好，能满足微机电系统和集成电路应用的需要。
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