公开(公告)号：CN110808315A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201910947276.3

申请日：2019-09-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 孙捷 ,  杜在发 ,  郭伟玲 ,  李龙飞 ,  熊访竹

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明公开了一种增加GaN Micro-LED颜色转换效率的方法，在P型GaN表面刻孔至有源区，使用Ag纳米颗粒和发光量子点进行填充；该方法是将P型台面压印出一个个圆形孔洞图形并将其刻蚀至有源区，在孔洞内填充发光量子点的同时填充金属Ag量子点，实现金属Ag量子点与有源区进行共振，从而实现增加颜色转换效率的功能。本发明减少了有源区的能量损耗，同时金属量子点跟有源区的近距离接触，使得两者之间共振增加，有利于增加有源区的能量提取效率。将两者充分结合，GaN Micro-LED使得颜色转换效率大大增加。

公开(公告)号：CN110611017B

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN201910879324.X

申请日：2019-09-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 孙捷 ,  熊访竹 ,  郭伟玲 ,  董毅博 ,  樊星 ,  苑营阔

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓上生长石墨烯提高LED透明导电及散热性的方法，通过在蓝宝石基的蓝光LED外延片的p型氮化镓表面淀积超薄铂做催化剂，选用乙炔作为碳源，利用等离子增强技术，低温环境中在p型氮化镓表面直接生长石墨烯。最后，利用超薄铂与石墨烯共同组成的透明导电层来增强LED表面的电流扩展和散热。该发明中，石墨烯在LED表面直接生长得到，无需转移，器件制备效率大幅提高，工艺流程大幅简化。该发明有望推动石墨烯透明导电薄膜在蓝光LED衬底上的商业应用。

公开(公告)号：CN110611017A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910879324.X

申请日：2019-09-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 孙捷 ,  熊访竹 ,  郭伟玲 ,  董毅博 ,  樊星 ,  苑营阔

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓上生长石墨烯提高LED透明导电及散热性的方法，通过在蓝宝石基的蓝光LED外延片的p型氮化镓表面淀积超薄铂做催化剂，选用乙炔作为碳源，利用等离子增强技术，低温环境中在p型氮化镓表面直接生长石墨烯。最后，利用超薄铂与石墨烯共同组成的透明导电层来增强LED表面的电流扩展和散热。该发明中，石墨烯在LED表面直接生长得到，无需转移，器件制备效率大幅提高，工艺流程大幅简化。该发明有望推动石墨烯透明导电薄膜在蓝光LED衬底上的商业应用。