公开(公告)号：CN110808315A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201910947276.3

申请日：2019-09-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 孙捷 ,  杜在发 ,  郭伟玲 ,  李龙飞 ,  熊访竹

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明公开了一种增加GaN Micro-LED颜色转换效率的方法，在P型GaN表面刻孔至有源区，使用Ag纳米颗粒和发光量子点进行填充；该方法是将P型台面压印出一个个圆形孔洞图形并将其刻蚀至有源区，在孔洞内填充发光量子点的同时填充金属Ag量子点，实现金属Ag量子点与有源区进行共振，从而实现增加颜色转换效率的功能。本发明减少了有源区的能量损耗，同时金属量子点跟有源区的近距离接触，使得两者之间共振增加，有利于增加有源区的能量提取效率。将两者充分结合，GaN Micro-LED使得颜色转换效率大大增加。

公开(公告)号：CN117153957A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311115299.0

申请日：2023-08-31

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭伟玲 ,  方奥琪 ,  杜在发 ,  孙捷 ,  许昊

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/42 ,  H01L33/50 ,  H01L33/24 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米结构的高颜色转换效率的Micro‑LED制备方法和Micro‑LED，方法包括：对GaN基LED外延片进行加工形成纳米柱阵列和P/N电极；将金属纳米颗粒和量子点的混合溶液填充进纳米柱阵列的缝隙中；在外延片表层转移一层或多层石墨烯，并处理形成石墨烯透明导电电极，连通单个的纳米柱。本发明的方法利用纳米柱能够较少牺牲有源区面积的优势，以及金属纳米颗粒能够提升量子点能量转换效率的特点，设计了一种含有金属纳米颗粒和量子点的利用石墨烯联通的纳米柱阵列型Micro‑LED，以此提升基于量子点的Micro‑LED的颜色转换效率。