公开(公告)号：CN117153957A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311115299.0

申请日：2023-08-31

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭伟玲 ,  方奥琪 ,  杜在发 ,  孙捷 ,  许昊

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/42 ,  H01L33/50 ,  H01L33/24 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米结构的高颜色转换效率的Micro‑LED制备方法和Micro‑LED，方法包括：对GaN基LED外延片进行加工形成纳米柱阵列和P/N电极；将金属纳米颗粒和量子点的混合溶液填充进纳米柱阵列的缝隙中；在外延片表层转移一层或多层石墨烯，并处理形成石墨烯透明导电电极，连通单个的纳米柱。本发明的方法利用纳米柱能够较少牺牲有源区面积的优势，以及金属纳米颗粒能够提升量子点能量转换效率的特点，设计了一种含有金属纳米颗粒和量子点的利用石墨烯联通的纳米柱阵列型Micro‑LED，以此提升基于量子点的Micro‑LED的颜色转换效率。

公开(公告)号：CN116995171A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310529763.4

申请日：2023-05-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭伟玲 ,  许昊 ,  苗慧

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明公开了一种具有不连续欧姆接触电极结构的UV LED，包括外延片、电流阻挡层、透明导电层、SiO2钝化层、不连续欧姆接触P/N电极。所述不连续欧姆接触的UV LED是在外延片上制备图形化的电流阻挡层、透明导电层、SiO2钝化层，最后溅射金属，形成不连续欧姆接触P/N电极结构。这种不连续的欧姆接触的P/N电极结构的正装UV LED，其不连续欧姆接触的N电极能够增加LED的有源区面积及侧壁出光面积以提高UV LED的出光性能；不连续欧姆接触的P电极能够增加LEDP/N电极之间的电流路径以缓解P电极下方的电流拥挤，改善器件UV LED的热特性。