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公开(公告)号：CN107527962B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201710668059.1
申请日：2017-08-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/072 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种高感光面积的斜向ZnO纳米线/GaN异质结太阳能电池，涉及半导体技术领域。所述斜向ZnO纳米线为n型；所述GaN层为半极性面(11‑22)的GaN外延层，包括掺Mg的p型GaN层和生长在m面Al2O3衬底上未掺杂的GaN缓冲层；所述斜向ZnO纳米线阵列与生长平面的夹角为30～35度；所述斜向ZnO纳米线被半导体量子点覆盖并被聚合物所填充，其上一层为导电薄膜，作为上电极，下电极位于GaN层上斜向生长的ZnO纳米线阵列的另一侧的台面。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高感光面积，实现高的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN107342351A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710481596.5
申请日：2017-06-22
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/36 , H01L33/40
Abstract: 一种基于斜向ZnO纳米线/GaN pn结的LED及制备方法，涉及半导体的技术领域。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高LED的光取出率和发光面积，实现在蓝紫光波段的高效发光。其中，半极性面(11-22)的GaN层包括生长在m面Al2O3衬底上未掺杂的GaN层和其上掺Mg的p型GaN层；ZnO纳米线阵列直接由水热法生长在半极性GaN面上，为n型掺杂，斜向生长，与生长平面的夹角为30～35度；将斜向ZnO纳米线阵列用聚合物填充后，再在其上一层制作导电薄膜，作为负极，而正极位于GaN层上。
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公开(公告)号：CN107039558A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710281827.8
申请日：2017-04-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1129 , H01L31/035227 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于斜向ZnO纳米线阵列调制的AlGaN/GaN紫外探测器，包括无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管和生长在无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极区域的斜向ZnO纳米线阵列；所述无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中的GaN外延层为半极性面(11‑22)的GaN层；所述GaN外延层包括GaN缓冲层、GaN沟道层和GaN帽层；所述GaN沟道层位于GaN缓冲层的上表面；所述斜向ZnO纳米线阵列与栅极区域的平面夹角为30～35°。本发明通过在无栅的高电子迁移率晶体管的栅极区域斜向生长ZnO纳米线阵列，提高探测器的探测效率，实现对紫外光强度的实时、精准、高效检测。
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公开(公告)号：CN107123701B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201710317590.4
申请日：2017-05-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/09 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种控制横向ZnO纳米线阵列紫外探测器均匀性的方法，涉及纳米技术与紫外探测技术领域。本发明利用水热法技术，基于二氧化硅衬底、种子层、台阶之间的相互作用，通过依次调整二氧化硅衬底种类、台阶处坡度、种子层厚度、溶液生长浓度和生长时间等实验参数得到高均匀性横向ZnO纳米线阵列的紫外探测器。本发明简单有效，提高了探测器均匀性和稳定性。
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公开(公告)号：CN107527962A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710668059.1
申请日：2017-08-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/072 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/072 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0296 , H01L31/035227 , H01L31/036 , H01L31/18
Abstract: 一种高感光面积的斜向ZnO纳米线/GaN异质结太阳能电池，涉及半导体技术领域。所述斜向ZnO纳米线为n型；所述GaN层为半极性面(11-22)的GaN外延层，包括掺Mg的p型GaN层和生长在m面Al2O3衬底上未掺杂的GaN缓冲层；所述斜向ZnO纳米线阵列与生长平面的夹角为30～35度；所述斜向ZnO纳米线被半导体量子点覆盖并被聚合物所填充，其上一层为导电薄膜，作为上电极，下电极位于GaN层上斜向生长的ZnO纳米线阵列的另一侧的台面。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高感光面积，实现高的光电转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107123701A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710317590.4
申请日：2017-05-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/09 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L31/1836 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0296 , H01L31/035227 , H01L31/09
Abstract: 一种控制横向ZnO纳米线阵列紫外探测器均匀性的方法，涉及纳米技术与紫外探测技术领域。本发明利用水热法技术，基于二氧化硅衬底、种子层、台阶之间的相互作用，通过依次调整二氧化硅衬底种类、台阶处坡度、种子层厚度、溶液生长浓度和生长时间等实验参数得到高均匀性横向ZnO纳米线阵列的紫外探测器。本发明简单有效，提高了探测器均匀性和稳定性。
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公开(公告)号：CN114068764A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111448069.7
申请日：2018-01-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0203 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及紫外探测技术领域与纳米材料技术领域，具体涉及一种氮气封装提高ZnO纳米线紫外探测器稳定性的方法，包括以下步骤：将ZnO纳米线紫外探测器用导电胶固定于金属管底座上，然后用修饰液进行修饰；将固定于金属管底座上的ZnO纳米线紫外探测器件放入充满干燥氮气的储能焊设备中；利用储能焊技术封装金属管帽与金属管底座，将氮气密闭于金属管帽与金属管底座之间。本发明针对ZnO纳米线表面稳定性的问题，采用储能焊将N2密闭于紫外探测器的封装结构中，既保证了ZnO纳米线紫外探测器的高增益特性，又提高了器件性能的长期稳定性。
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公开(公告)号：CN107342351B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201710481596.5
申请日：2017-06-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于斜向ZnO纳米线/GaN pn结的LED及制备方法，涉及半导体的技术领域。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高LED的光取出率和发光面积，实现在蓝紫光波段的高效发光。其中，半极性面(11‑22)的GaN层包括生长在m面Al2O3衬底上未掺杂的GaN层和其上掺Mg的p型GaN层；ZnO纳米线阵列直接由水热法生长在半极性GaN面上，为n型掺杂，斜向生长，与生长平面的夹角为30～35度；将斜向ZnO纳米线阵列用聚合物填充后，再在其上一层制作导电薄膜，作为负极，而正极位于GaN层上。
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公开(公告)号：CN107039558B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201710281827.8
申请日：2017-04-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于斜向ZnO纳米线阵列调制的AlGaN/GaN紫外探测器，包括无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管和生长在无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极区域的斜向ZnO纳米线阵列；所述无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中的GaN外延层为半极性面(11‑22)的GaN层；所述GaN外延层包括GaN缓冲层、GaN沟道层和GaN帽层；所述GaN沟道层位于GaN缓冲层的上表面；所述斜向ZnO纳米线阵列与栅极区域的平面夹角为30～35°。本发明通过在无栅的高电子迁移率晶体管的栅极区域斜向生长ZnO纳米线阵列，提高探测器的探测效率，实现对紫外光强度的实时、精准、高效检测。
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公开(公告)号：CN106409975A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611012268.2
申请日：2016-11-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/0296 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1836 , H01L31/0296 , H01L31/035227 , H01L31/09
Abstract: 一种可定制的高增益ZnO纳米线阵列紫外探测器及其制备方法，涉及微电子工艺技术、纳米技术与紫外探测领域。本发明中，基于协同学理论，在涨落不稳定时，纳米线之间会彼此争夺反应溶质，在这种竞争机制下，种子层越薄，所需的溶质资源越少，生长时间由生长速率决定。基于此生长原理，本发明中，通过调整种子层厚度和溶液浓度、生长时间得到质量较高的纳米线，从而得到不同增益的紫外探测器件。本发明简单有效，定制不同增益的器件可适用于多种环境下的紫外光检测。
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