公开(公告)号：CN119787069A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411610851.8

申请日：2024-11-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李平雪 ,  王萱 ,  姚传飞 ,  杨林京 ,  潘季宸

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/04 ,  H01S3/042

Abstract: 一种基于色散调控孤子群脉冲的中红外激光产生系统，能够获得高功率、高效率、高占比的中红外激光输出，具有全光纤化、结构紧凑、中红外后谱段功率占比高的优点。脉冲光纤激光器产生1.5微米波段的纳秒脉冲激光；光纤脉冲展宽器为单模石英光纤，通过非线性效应使纳秒脉冲分裂为多个超快孤子脉冲，进行1.5微米到2.4微米的光谱能量转换；光纤激光放大器进一步提升经过展宽后的脉冲激光的输出功率并将光谱拓展至2.7微米波段，同时提升2.3微米波段后的脉冲能量；光纤模场适配器将光纤激光放大器中产生的脉冲高效耦合进非线性光纤；非线性光纤将激光拓展至中红外3‑5微米波段，获得高功率、高效率、高占比的中红外激光输出。

公开(公告)号：CN115693399A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202110838375.5

申请日：2021-07-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 崔碧峰 ,  王翔媛 ,  潘季宸 ,  冯靖宇 ,  陈芬 ,  李彩芳

IPC: H01S5/183

Abstract: 本公开内容提供一种半导体激光器及其制作方法，所述激光器包括：一衬底；在衬底上形成的半导体结构，包括第一和第二分布布拉格反射镜、第一和第二包覆层以及有源层；以及在所述有源层上形成的第一限制层和/或在所述有源层下形成的第二限制层；所述限制层在所述有源层中限定出N个相邻的子发光区域，所述N个相邻的子发光区域形成一相干耦合发光单元,其中N为大于等于3的整数。本公开内容有助于实现如下效果之一：能解决电流扩展不均匀、获得相干耦合输出，改善光束质量，提供高度紧密排列和精确限定。