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公开(公告)号：CN101671562B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200910176523.0
申请日：2007-07-02
Applicant: 北京宇极科技发展有限公司
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明涉及一种氮氧化合物发光材料、其制备方法及其应用，涉及半导体领域。一种氮氧化合物发光材料，其化学式为：AxByOzN2/3x+4/3y-2/3z：R，其中，A为下列物质中的一种或几种：Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Li，Na，所述B为Si，Ge，Zr，Ti，B，Al，Ga，In中的一种或几种且至少含有Si。该发光材料化学性质稳定、发光性能优异，能被紫外或蓝光LED激发的白光LED用氮氧化物的蓝绿色到红色发光材料；其激发波长在300-500nm之间，发光波长在470-700nm之间，该类发光材料配合蓝色LED或紫外或近紫外LED能制成白光LED照明或显示光源。
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公开(公告)号：CN101671562A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910176523.0
申请日：2007-07-02
Applicant: 北京宇极科技发展有限公司
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明涉及“一种氮氧化合物发光材料、其制备方法及其应用”，涉及半导体领域。一种氮氧化合物发光材料，其化学式为：A x B y O z N 2/3x+4/3y-2/3z :R，其中，A为下列物质中的一种或几种：Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Li，Na，所述B为Si，Ge，Zr，Ti，B，Al，Ga，In中的一种或几种且至少含有Si。该发光材料化学性质稳定、发光性能优异，能被紫外或蓝光LED激发的白光LED用氮氧化物的蓝绿色到红色发光材料；其激发波长在300-500nm之间，发光波长在470-700nm之间，该类发光材料配合蓝色LED或紫外或近紫外LED能制成白光LED照明或显示光源。
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公开(公告)号：CN102391861B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201110293647.4
申请日：2011-09-29
Applicant: 北京宇极科技发展有限公司
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明涉及“一种氮化合物发光材料及其制法以及由其制成的照明光源”，属于LED无机发光材料领域。氮化合物发光材料，其化学式为：M1-yEuyAlSiCxN3-4/3x，其中，M为Li，Mg，Ca，Sr，Ba等碱土金属中的一种或几种；0＜x≤0.2；0＜y≤0.5；C为碳元素。该发光材料被紫外、近紫外或蓝光等激发光源如LED激发时，能发射波谱在500-800nm范围且最大发射波长位于600-700nm的红色光，具有激发波长范围宽、高效、稳定的特点，制备方法简单、易于批量生产、无污染。用本发明的发光材料配合紫外、近紫外或蓝光LED以及其它发光材料如绿色荧光粉可制得新型白光LED光源。
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公开(公告)号：CN101572284B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200810105392.2
申请日：2008-04-29
Applicant: 北京宇极科技发展有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及“半导体发光装置”，属于半导体光电器件领域。半导体发光装置，包括集光反射杯和覆盖有荧光粉层的半导体发光芯片，其特征在于：集光反射杯与荧光粉层在光出射方向上不接触或接触部分不超过半导体发光芯片的高度，抑制了金属杯表面与荧光粉之间的多重反射，光在金属杯上反射产生的损耗降低，从而使本发明半导体发光装置的光取出效率得到提高。与常规的半导体发光装置的对比实验，证明本发明的光取出效率提高了20％左右。
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公开(公告)号：CN101157854B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200710118199.8
申请日：2007-07-02
Applicant: 北京宇极科技发展有限公司
CPC classification number: C09K11/0883 , C04B35/597 , C04B35/6262 , C04B35/6268 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3262 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3852 , C04B2235/3873 , C04B2235/442 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C09K11/7734 , H01L33/502 , Y02B20/181
Abstract: 本发明涉及“一种氮氧化合物发光材料、其制备方法及其应用”，涉及半导体领域。一种氮氧化合物发光材料，其化学式为：AxByOzN2/3x+4/3y-2/3z:R，其中，A为下列物质中的一种或几种：Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，所述B为Si，Ge，Zr，Ti，B，Al，Ga，In，Li，Na中的一种或几种且至少含有Si。该发光材料化学性质稳定、发光性能优异，能被紫外或蓝光LED激发的白光LED用氮氧化物的蓝绿色到红色发光材料；其激发波长在300-500nm之间，发光波长在470-700nm之间，该类发光材料配合蓝色LED或紫外或近紫外LED能制成白光LED照明或显示光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101290965B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810114715.4
申请日：2008-06-11
Applicant: 北京宇极科技发展有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及“III族氮化物半导体发光二极管”，属于化合物半导体技术领域。III族氮化物半导体发光二极管，其活性层为存在内部电场的量子阱结构，所述量子阱结构活性层由位于p型区域一侧的第一势垒层、量子阱层、和位于n型区域一侧的第二势垒层所构成的，其特征在于：所述量子阱层中插入第三势垒层，所述第三个势垒层的厚度满足以下条件：(1)由p型区域注入的空穴能被屏蔽在第三势垒层与位于p型区域一侧的第一势垒层之间；(2)由n型区域注入的电子能自由通过第三势垒层，向能量最低的区域移动。本发明通过插入第三势垒层，使电子和空穴的波动函数的空间重叠部分增大，发光复合效率增大，是插入第三势垒层之前的2-3倍。
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公开(公告)号：CN102559177B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201010611621.5
申请日：2010-12-28
Applicant: 北京宇极科技发展有限公司
IPC: C09K11/64 , C09K11/66 , C09K11/80 , F21S2/00 , F21Y101/02
CPC classification number: C09K11/7721 , C09K11/0883 , H05B33/14 , Y02B20/181
Abstract: 一种氮氧化合物发光材料，其化学式为：M1-yX4-xZ1+xOxN7-x:Ry，其中，M为碱金属、碱土金属、稀土金属、过渡金属中的一种或几种；X为Si，Ge，B，Al中至少一种且包含Si；Z为Al，Ga，In中至少一种且包含Al；R为发光中心元素Eu，Ce，Tb，Yb，Sm，Pr，Dy中至少一种；0≤x＜0.5；0＜y＜1.0。该发光材料被紫外、近紫外或蓝光等激发光源激发时，能发射波长在500-750nm的黄色光或者红色光，配合紫外、近紫外或蓝光LED以及其它发光材料如绿色荧光粉可制得新型白光LED光源。本发明的发光材料具有激发波长范围宽、高效、稳定的特点，制备方法简单、易于批量生产、无污染。
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公开(公告)号：CN102559177A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010611621.5
申请日：2010-12-28
Applicant: 北京宇极科技发展有限公司
IPC: C09K11/64 , C09K11/66 , C09K11/80 , F21S2/00 , F21Y101/02
CPC classification number: C09K11/7721 , C09K11/0883 , H05B33/14 , Y02B20/181
Abstract: 一种氮氧化合物发光材料，其化学式为：M1-yX4-xZ1+xOxN7-x:Ry，其中，M为碱金属、碱土金属、稀土金属、过渡金属中的一种或几种；X为Si，Ge，B，Al中至少一种且包含Si；Z为Al，Ga，In中至少一种且包含Al；R为发光中心元素Eu，Ce，Tb，Yb，Sm，Pr，Dy中至少一种；0≤x＜0.5；0＜y＜1.0。该发光材料被紫外、近紫外或蓝光等激发光源激发时，能发射波长在500-750nm的黄色光或者红色光，配合紫外、近紫外或蓝光LED以及其它发光材料如绿色荧光粉可制得新型白光LED光源。本发明的发光材料具有激发波长范围宽、高效、稳定的特点，制备方法简单、易于批量生产、无污染。
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公开(公告)号：CN102391861A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110293647.4
申请日：2011-09-29
Applicant: 北京宇极科技发展有限公司
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明涉及“一种氮化合物发光材料及其制法以及由其制成的照明光源”，属于LED无机发光材料领域。氮化合物发光材料，其化学式为：M1-yEuyAlSiCxN3-4/3x，其中，M为Li，Mg，Ca，Sr，Ba等碱土金属中的一种或几种；0＜x≤0.2；0＜y≤0.5；C为碳元素。该发光材料被紫外、近紫外或蓝光等激发光源如LED激发时，能发射波谱在500-800nm范围且最大发射波长位于600-700nm的红色光，具有激发波长范围宽、高效、稳定的特点，制备方法简单、易于批量生产、无污染。用本发明的发光材料配合紫外、近紫外或蓝光LED以及其它发光材料如绿色荧光粉可制得新型白光LED光源。
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公开(公告)号：CN101290965A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810114715.4
申请日：2008-06-11
Applicant: 北京宇极科技发展有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及“III族氮化物半导体发光二极管”，属于化合物半导体技术领域。III族氮化物半导体发光二极管，其活性层为存在内部电场的量子阱结构，所述量子阱结构活性层由位于p型区域一侧的第一势垒层、量子阱层、和位于n型区域一侧的第二势垒层所构成的，其特征在于：所述量子阱层中插入第三势垒层，所述第三个势垒层的厚度满足以下条件：(1)由p型区域注入的空穴能被屏蔽在第三势垒层与位于p型区域一侧的第一势垒层之间；(2)由n型区域注入的电子能自由通过第三势垒层，向能量最低的区域移动。本发明通过插入第三势垒层，使电子和空穴的波动函数的空间重叠部分增大，发光复合效率增大，是插入第三势垒层之前的2－3倍。
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