公开(公告)号：CN101290965B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810114715.4

申请日：2008-06-11

Applicant: 北京宇极科技发展有限公司

Inventor： 王海嵩 ,  熊志军 ,  张磊 ,  鲍鹏

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及“III族氮化物半导体发光二极管”，属于化合物半导体技术领域。III族氮化物半导体发光二极管，其活性层为存在内部电场的量子阱结构，所述量子阱结构活性层由位于p型区域一侧的第一势垒层、量子阱层、和位于n型区域一侧的第二势垒层所构成的，其特征在于：所述量子阱层中插入第三势垒层，所述第三个势垒层的厚度满足以下条件：(1)由p型区域注入的空穴能被屏蔽在第三势垒层与位于p型区域一侧的第一势垒层之间；(2)由n型区域注入的电子能自由通过第三势垒层，向能量最低的区域移动。本发明通过插入第三势垒层，使电子和空穴的波动函数的空间重叠部分增大，发光复合效率增大，是插入第三势垒层之前的2-3倍。

公开(公告)号：CN101290965A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810114715.4

申请日：2008-06-11

Applicant: 北京宇极科技发展有限公司

Inventor： 王海嵩 ,  熊志军 ,  张磊 ,  鲍鹏

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及“III族氮化物半导体发光二极管”，属于化合物半导体技术领域。III族氮化物半导体发光二极管，其活性层为存在内部电场的量子阱结构，所述量子阱结构活性层由位于p型区域一侧的第一势垒层、量子阱层、和位于n型区域一侧的第二势垒层所构成的，其特征在于：所述量子阱层中插入第三势垒层，所述第三个势垒层的厚度满足以下条件：(1)由p型区域注入的空穴能被屏蔽在第三势垒层与位于p型区域一侧的第一势垒层之间；(2)由n型区域注入的电子能自由通过第三势垒层，向能量最低的区域移动。本发明通过插入第三势垒层，使电子和空穴的波动函数的空间重叠部分增大，发光复合效率增大，是插入第三势垒层之前的2－3倍。