公开(公告)号：CN109037076A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810933101.2

申请日：2018-08-16

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  常宝柱 ,  陶金敖 ,  张羽晴 ,  王刚 ,  周晓梁

IPC: H01L21/428 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/428 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本申请公开了一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底上形成有源层并对其进行图形化形成有源区；在所述有源区和所述衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅电极层并对其图形化形成栅电极；以所述栅电极为掩模进行准分子激光退火从而在所述有源区中形成源漏区域；以及在所述栅电极以及所述源漏区域上方形成钝化层，并对其进行图形化形成开孔并在其中形成电极。