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公开(公告)号：CN113437187B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110984706.6
申请日：2021-08-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供的发光二极管超临界处理方法，通过根据发光二极管的半导体结构所具有的第一元素，选取第二物质；获取超临界态的第二物质；通过超临界态的第二物质对半导体结构进行晶体缺陷修复。可见，利用超临界态的第二物质具有的渗透性与流动性，通过超临界态的第二物质的元素，对发光二极管的半导体结构进行晶体缺陷修复，使得其半导体结构趋向于理想晶体结构，其光学性能更加贴近理想模型，由此，发光二极管的电光转换，以及产生的发光光谱，更加符合理想模型。
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公开(公告)号：CN113856237A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110985897.8
申请日：2021-08-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种有机半导体器件超临界处理方法，包括：提供一有机半导体器件以及二氧化碳；获得超临界态的二氧化碳；通过超临界态的二氧化碳对所述有机半导体器件进行杂质萃取。可见有机材料结构中的杂质，如聚合物单体分子、寡聚物等小分子或软交联剂杂质，会被超临界态的二氧化碳从有机材料中脱除。同时，水分子同样会被超临界态的二氧化碳从有机材料中脱除。因此，有机材料结构在有机半导体器件中发挥的电学性能，能够进一步靠近理想模型，杂质带来的影响下降。
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公开(公告)号：CN111883579A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010796589.6
申请日：2020-08-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 一种无结型场效应晶体管，包括无结纳米线，所述无结纳米线包括沿其轴线方向依次定义的源区、沟道区和漏区；环所述沟道区的外周表面全覆盖有栅电介质层，环所述栅电介质层的外周表面全覆盖有栅电极层；由于无结型场效应晶体管源电介质层和漏电介质层分别位于源区的端面和漏区的端面，使得器件在工作时，金属与半导体体硅接触的位置与沟道相距更近，所以源漏电阻降低，从而极大的增大了器件的开态电流，边缘粗糙度造成器件电学特性的波动进一步受到抑制，提高了器件电学特性的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102136193A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110057907.8
申请日：2011-03-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种基于图像特征的虚拟线圈抓拍系统，该方法通过在车道正上方安装固定摄像头获取车道视频图像信息，并在该车道视频图像上设置一个虚拟线圈矩形框，通过连续多帧检测设定的矩形框图像角点来提取背景图像和前景图像，通过前景角点图像和背景角点及颜色特征图像的变化来捕获车辆是否已驶入矩形框中，当满足设定抓拍阈值条件时捕获车辆。本发明对于车辆捕获速度块，能够在实际场景中有效地抑制光线变化、阴影、飘云等复杂环境对检测的影响，具有很强的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN113871298A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110985825.3
申请日：2021-08-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/322 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种半导体器件超临界处理方法，通过提供一半导体器件以及第二物质，第二物质为含碳元素以及氢元素的化合物；获取超临界态的第二物质；通过超临界态的第二物质对半导体结构进行晶体缺陷修复。可见，利用超临界态的第二物质具有的渗透性与流动性，通过超临界态的第二物质进入半导体结构中，第二物质或第二物质的元素与半导体结构中晶体缺陷产生的悬挂键键合，起到对晶体缺陷的修复作用，降低晶体缺陷对半导体器件性能的影响。
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公开(公告)号：CN113856237B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202110985897.8
申请日：2021-08-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: B01D11/02
Abstract: 本发明提供了一种有机半导体器件超临界处理方法，包括：提供一有机半导体器件以及二氧化碳；获得超临界态的二氧化碳；通过超临界态的二氧化碳对所述有机半导体器件进行杂质萃取。可见有机材料结构中的杂质，如聚合物单体分子、寡聚物等小分子或软交联剂杂质，会被超临界态的二氧化碳从有机材料中脱除。同时，水分子同样会被超临界态的二氧化碳从有机材料中脱除。因此，有机材料结构在有机半导体器件中发挥的电学性能，能够进一步靠近理想模型，杂质带来的影响下降。
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公开(公告)号：CN113437187A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110984706.6
申请日：2021-08-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供的发光二极管超临界处理方法，通过根据发光二极管的半导体结构所具有的第一元素，选取第二物质；获取超临界态的第二物质；通过超临界态的第二物质对半导体结构进行晶体缺陷修复。可见，利用超临界态的第二物质具有的渗透性与流动性，通过超临界态的第二物质的元素，对发光二极管的半导体结构进行晶体缺陷修复，使得其半导体结构趋向于理想晶体结构，其光学性能更加贴近理想模型，由此，发光二极管的电光转换，以及产生的发光光谱，更加符合理想模型。
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公开(公告)号：CN111883579B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202010796589.6
申请日：2020-08-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 一种无结型场效应晶体管，包括无结纳米线，所述无结纳米线包括沿其轴线方向依次定义的源区、沟道区和漏区；环所述沟道区的外周表面全覆盖有栅电介质层，环所述栅电介质层的外周表面全覆盖有栅电极层；由于无结型场效应晶体管源电介质层和漏电介质层分别位于源区的端面和漏区的端面，使得器件在工作时，金属与半导体体硅接触的位置与沟道相距更近，所以源漏电阻降低，从而极大的增大了器件的开态电流，边缘粗糙度造成器件电学特性的波动进一步受到抑制，提高了器件电学特性的稳定性。
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