半导体器件结构及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116314342A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310231489.2

    申请日:2023-03-01

    Abstract: 一种半导体器件结构及其制造方法,在其结构中,在基底中形成有凹槽,并且将器件中比较重要的结构部分例如第一电极层设置在凹槽内,再在凹槽的上方形成其他器件结构部件例如第二电极层,形成嵌入式的结构,嵌入式技术运用了削弱电子器件内部结构中的寄生效应、规整化整体器件的堆叠结构、改善对于光电信号的响应程度等原理,旨在对现有存在的各类电子器件进行结构与性能上的双重优化,通过研究其能够进行改善的出发点改善其透光率、工作电压区间、开关速度、能源利用率等等重要指标,综合传统的工艺简单的优点以及自对准顶栅结构,使得保障器件的尺寸微缩优点,同时能够提升器件的载流子迁移率、开关速度以及开态电流等性能。

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