公开(公告)号：CN106158960A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510180932.3

申请日：2015-04-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 王茂俊 ,  王野 ,  陶明 ,  郝一龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 基于数字化栅刻蚀技术形成GaN增强型MOSFET及制备方法，本发明涉及宽禁带化合物半导体材料的电力电子器件及高效率功率开关领域。本发明白下而上包括衬底、GaN缓冲层、GaN、AlGaN，腐蚀掩膜介质层和绝缘栅介质层，且在晶元表面定义有栅极区域，栅极区域下面的腐蚀掩膜介质层被刻蚀掉以及AlGaN层被湿法腐蚀掉，在AlGaN表面有源极区域和漏极区域，分别形成源极和漏极。本发明的有益效果是，用湿法腐蚀栅槽区域，避免了等离子体损伤，使栅槽底表面形貌较好，提高了最大漏电流密度，并且可以控制栅刻蚀的深度以及阈值电压的一致性。所研制的高性能的基于湿法腐蚀的GaN增强型器件可以应用于高效功率开关以及RF功率器件中。