公开(公告)号：CN118099215A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410219466.4

申请日：2024-02-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  袁乔枫 ,  郭伟 ,  宛良臣 ,  王子豪 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件，属于半导体技术领域。本发明包括：半导体衬底，其上连接有Fin条和STI区；STI区位于相邻两个Fin条之间，STI区垂直于源漏方向的剖面中间部分被挖空；Fin条顶部至中部与STI区没有接触的表面具有横跨Fin条的栅极结构，与栅极结构接触的Fin条部分构成沟道区；Fin条下部被STI区包裹；源漏位于沟道区两端。本发明通过挖空STI区的剖面中间部分，剩余的STI区包裹两侧的Fin条。由于氧化层体积的减少，辐射诱生的氧化层陷阱电荷数量减少，Sub‑Fin区域难以反型形成泄漏通道，因此能够减小辐照引起的器件关态泄漏电流增加，其抗总剂量辐射能力得到增强。

公开(公告)号：CN118099214A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410217904.3

申请日：2024-02-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  宛良臣 ,  郭伟 ,  袁乔枫 ,  王子豪 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种抗总剂量辐射的多栅器件，属于半导体技术领域。本发明包括半导体衬底，其上设置有凸起的Fin条和STI区；STI区位于两个Fin条之间，其不与两个Fin条接触；Fin条的顶部和两侧具有横跨Fin条的栅极结构，与栅极结构接触的Fin条部分形成沟道区；源、漏位于沟道区两端。本发明通过将STI区与Fin条相接触的部分被挖空，只保留其不与Fin条相接触的中间部分，减小了氧化层区域的体积，因此辐照引入的陷阱电荷数量减少，辐照诱生陷阱电荷导致的关态泄漏电流增大特性得到明显抑制。

公开(公告)号：CN117913140A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311759201.5

申请日：2023-12-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  郭伟 ,  宛良臣 ,  袁乔枫 ,  王子豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种抗辐射SOI FinFET器件，属于超大规模集成电路技术领域。该器件包括SOI衬底，在SOI衬底上具有Fin条结构，在Fin条结构顶部至下部包括栅极结构、栅氧化层和沟道区；源、漏位于沟道区两端，SOI衬底中的埋氧层划分为漏端下方埋氧层、栅极下方埋氧层和源端下方埋氧层，漏端下方埋氧层厚度与源端下方埋氧层的厚度之比为0.5～40之间，且栅极下方埋氧层的厚度比源极下方埋氧层的厚度大。本发明能有效抑制总剂量效应，且有利于减弱SOI FinFET的自热效应。