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公开(公告)号：CN113514789A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110463248.1
申请日：2021-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种磁传感器阵列校准方法，该方法通过构建磁传感器阵列的正交坐标系，确定磁传感器测量的磁场的输出值与标准磁场的实际值之间的函数关系，并根据记录的磁传感器的输出值获得磁传感器的转换系数。本发明提供了一种磁传感器阵列的准确校准方法，能够提高磁传感器阵列的校准精确度。另外，本发明还可以采用椭球拟合的方法获得所述磁传感器的每一个传感器轴对应的比例因子，并根据该比例因子以及转换系数与磁传感器的角度偏差之间的函数关系，进一步获得磁传感器的角度偏差。
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公开(公告)号：CN113091773B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202110254601.5
申请日：2021-03-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种惠斯通电桥式传感器的零位温度漂移估算方法，该方法建立了描述惠斯通电桥式传感器零位温度漂移的准线性模型。利用这一准线性模型，能够推导惠斯通电桥式传感器零位的理论温度依赖关系，估算惠斯通电桥式传感器在任意温度下的零位温度漂移量。为惠斯通电桥式传感器的校准提供数据支持，提高惠斯通电桥式传感器的校准精度。上述准线性模型为解释惠斯通电桥式传感器的零位温度漂移的原因提供了一个清晰的物理图像，有助于理解惠斯通电桥式传感器产生温度漂移的原因。并且该准线性模型适用于惠斯通电桥式磁阻传感器、采用惠斯通电桥结构的称重元件、温度传感器、电场传感器等其它惠斯通电桥结构传感器。
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公开(公告)号：CN113091773A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110254601.5
申请日：2021-03-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种惠斯通电桥式传感器的零位温度漂移估算方法，该方法建立了描述惠斯通电桥式传感器零位温度漂移的准线性模型。利用这一准线性模型，能够推导惠斯通电桥式传感器零位的理论温度依赖关系，估算惠斯通电桥式传感器在任意温度下的零位温度漂移量。为惠斯通电桥式传感器的校准提供数据支持，提高惠斯通电桥式传感器的校准精度。上述准线性模型为解释惠斯通电桥式传感器的零位温度漂移的原因提供了一个清晰的物理图像，有助于理解惠斯通电桥式传感器产生温度漂移的原因。并且该准线性模型适用于惠斯通电桥式磁阻传感器、采用惠斯通电桥结构的称重元件、温度传感器、电场传感器等其它惠斯通电桥结构传感器。
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公开(公告)号：CN113514789B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202110463248.1
申请日：2021-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种磁传感器阵列校准方法，该方法通过构建磁传感器阵列的正交坐标系，确定磁传感器测量的磁场的输出值与标准磁场的实际值之间的函数关系，并根据记录的磁传感器的输出值获得磁传感器的转换系数。本发明提供了一种磁传感器阵列的准确校准方法，能够提高磁传感器阵列的校准精确度。另外，本发明还可以采用椭球拟合的方法获得所述磁传感器的每一个传感器轴对应的比例因子，并根据该比例因子以及转换系数与磁传感器的角度偏差之间的函数关系，进一步获得磁传感器的角度偏差。
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