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公开(公告)号：CN117371240A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311443416.6
申请日：2023-11-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种面向高密度存储的三维环状铁电电容建模方法，属于半导体器件技术领域。该建模方法利用高斯定理和三维与二维电容的电荷密度之间的关系，可以涵盖三维环状结构几何特点、氧化铪基铁电材料多畴极化翻转等特点。本发明填补了目前针对三维环状结构铁电电容电学特性准确模型描述上的缺失，能够进一步计入氧化铪基铁电电容的多相共存的晶粒分布特点，从而可以作为准确评估面向更高密度存储的三维铁电电容性能的可靠依据。
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公开(公告)号：CN119855158A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510068339.3
申请日：2025-01-16
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
Abstract: 本发明提供了两种高密度三维铁电存储器结构及其制备方法，所述制备方法能够降低三维铁电存储器制备过程中的深孔刻蚀难度，同时又能增加单位存储单元的铁电电容的有效面积。所述高密度三维铁电存储器的核心结构与制备过程包括：通过隔离沟槽将深孔刻蚀形成的导电通孔分割为更小的两个子通孔作为分立的导线，减小了刻蚀时深孔结构的深宽比，从而降低了制备过程中的刻蚀难度；通过在沿垂直于衬底方向延伸的竖直导线上形成凹槽结构，增加导线与铁电材料之间的接触面积，从而增加了存储单元的有效电容面积，确保在工艺节点缩小时可以维持足够的存储窗口。本发明提升了三维铁电存储器的存储密度和可靠性，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117371238A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311439868.7
申请日：2023-11-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种面向高密度存储的三维环状铁电电容的仿真方法。本发明利用矢量合成分解原则来定义环状结构的极轴方向，可以准确仿真三维环状结构中径向对称的极化分布，同时能够反映氧化铪基铁电材料多畴极化翻转等特点。本发明的仿真方法填补了目前针对三维环状结构铁电电容电学特性准确仿真描述上的缺失。本发明的仿真方法能够进一步计入氧化铪基铁电电容的多相共存的晶粒分布特点，从而可以作为准确评估面向更高密度存储的三维铁电电容性能的可靠依据。
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