公开(公告)号：CN112397649A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202011252910.0

申请日：2020-11-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 郭桐 ,  冉广照 ,  赵诗琪 ,  田程 ,  李艳平

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明涉及光电材料技术领域，本发明提供了一种大面积钙钛矿半导体单晶薄膜的制备方法，利用重力的作用改变涂覆于倾斜衬底上的钙钛矿前驱体溶液的形状；随着溶剂的蒸发，钙钛矿前驱体溶液顶部边缘的溶液浓度迅速过饱和形成晶核；溶剂的蒸发引起了溶液内溶质的对流，导致与已形成的结晶接触的液面优先结晶；之后通过半密封器皿控制溶剂的蒸发速率，已经结晶的区域浓度被控制在优化生长区，使结晶继续长大；随着蒸发的进行，已经形成的结晶持续进行面内的外延生长，最终获得大面积高质量的钙钛矿单晶薄膜。本发明提供的制备方法得到的钙钛矿半导体单晶薄膜的面积可以达到100mm2～1m2，没有明显的晶界和缺陷存在，质量较高。

公开(公告)号：CN110504618A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910806378.3

申请日：2019-08-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 李艳平 ,  田程 ,  冉广照

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/187 ,  H01S5/04 ,  C30B29/64 ,  C30B29/12 ,  C30B7/06

Abstract: 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种原位生长钙钛矿单晶薄膜制备垂直腔面发射激光器的方法和一种垂直腔面发射激光器。本发明提供的方法使钙钛矿溶液中的溶剂在两片DBR片之间缓慢挥发，从而形成钙钛矿单晶，并且在两片DBR片的限制下，钙钛矿单晶在一个维度上生长，最终形成钙钛矿单晶薄膜。本发明提供的方法可以得到大面积高质量的钙钛矿单晶薄膜，与多晶薄膜相比，具有更好的发光性能和稳定性，并且原位生长出来的钙钛矿单晶薄膜与上下DBR片紧密接触，无残留气体层，所得垂直腔面发射激光器发光性能和稳定性好，波长和模式可调；本发明提供的制备方法步骤简单、成本低。