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公开(公告)号：CN102593008A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210050309.2
申请日：2012-02-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的制备方法采用底栅结构，首先生长光刻刻蚀出栅电极，然后连续生长栅介质层及有源区层，再光刻刻蚀出有源区，以栅电极为掩膜，配合源电极和漏电极的掩膜版，背部曝光即可实现自对准。由于该方法实现了源电极和漏电极与栅电极的自对准，极大减小栅电极与源漏的寄生电容，因而能提高薄膜晶体管电路的驱动能力。而该制备方法的改进在于，背曝光的同时使光线通过源电极和漏电极的掩膜版，光刻之后结合剥离工艺即可一次形成源电极和漏电极的区域。整个流程只需三步光刻，节省了一步光刻工艺。由于微电子工艺对光刻的成本极为敏感，因此本发明的制备方法可简化工艺流程，节约制造成本。
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公开(公告)号：CN103515236A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210213660.9
申请日：2012-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02521 , H01L21/02631 , H01L29/227
Abstract: 本发明公开了一种在柔性衬底上的薄膜晶体管的制备方法。本发明在柔性塑料的衬底上制备薄膜晶体管，采用掺铝的氧化锌半导体材料作为透明半导体导电的沟道层，在制备过程中采用独特工艺加入适量的氧气使掺铝的氧化锌呈现出半导体特性，并且显示出高迁移特性，有效的提高了薄膜晶体管的性能。同时，氧化锌铝薄膜是环保材料，工艺简单，具有广泛的应用前景。而且，本发明采用同时制备绝缘栅介质层和半导体沟道层的制备方法，简化了制备工艺，并且有效的改进了柔性衬底上薄膜之间的界面态，提高了器件性能，同时降低了制作成本低，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN103515445A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210202201.0
申请日：2012-06-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L29/227 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。本发明在玻璃或者塑料的衬底上制备薄膜晶体管，采用掺铝的氧化锌半导体材料作为透明半导体导电的沟道层，在制备过程中采用独特工艺加入适量的氧气使掺铝的氧化锌呈现出半导体特性，并且显示出高迁移特性，有效的提高了薄膜晶体管的性能。本发明的制备方法步骤简单，制备成本低，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件性能，降低了制备成本。同时，氧化锌铝薄膜是环保材料，工艺简单，制备成本低，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102890910A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210389785.7
申请日：2012-10-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种同异步双栅TFT-OLED像素驱动电路及其驱动方法。本发明的像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、存储电容和发光二极管；其中，第一晶体管为同步双栅薄膜晶体管，第二晶体管为异步双栅薄膜晶体管。本发明的像素驱动电路只在传统的2T1C电路的基础上引入一同步双栅结构和异步双栅结构，增加一预充电电压及一条反馈线，既有效增加了存储电容在非选通阶段对数据电压的保持效果，又有效地实现了驱动晶体管的阈值电压补偿，从而确保了显示器发光亮度的均匀性与稳定性。相比于大部分为实现数据保持和阈值补偿而采用的像素驱动电路，节省了晶体管、电容及控制线，大大简化了电路结构，从而提高了开口率和分辨率并降低了实现成本。
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