公开(公告)号：CN117497608A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311610401.4

申请日：2023-11-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 程哲 ,  王昱翔 ,  吴恒 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/373 ,  H01L23/473 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了基于金刚石上硅的围栅晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路技术领域。本发明采用金刚石上硅(SOD)衬底制备围栅晶体管，包括由上到下层叠的器件层、金刚石均热层和硅衬底，在所述金刚石均热层中设置p阱或n阱，与其上方器件层中的围栅晶体管的n型或p型沟道形成反偏结；所述硅衬底在背面具有微通道热沉结构。SOD衬底相较于SOI衬底具有更好的均热效果，并解决了寄生衬底漏电和寄生电容问题；同时金刚石具有优异的抗腐蚀能力，可作为刻蚀阻挡层用于器件结构成型，简化工艺流程；衬底背面形成基于液体冷却的微通道热沉能够更好散热。将本发明的围栅晶体管作为高性能逻辑器件应用于芯片中，能够提升计算频率，增加稳定性和寿命。