公开(公告)号：CN119208470A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411452795.X

申请日：2024-10-17

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 王琦 ,  曹江伟 ,  梁智文

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种基于非晶软磁带材的Micro‑LED芯片巨量转移装置及方法，以降低Micro‑LED芯片巨量转移的难度并有效提高Micro‑LED芯片巨量转移的稳定性。本发明中的巨量转移装置包括磁性转移基板、电磁铁装置以及位于磁性转移基板下方的调整平台；调整平台朝向磁性转移基板的表面上放置有待转移的且设置于蓝膜上的多个Micro‑LED芯片，其中，Micro‑LED芯片远离蓝膜的表面上设置有磁性层；磁性转移基板包括基板以及非晶软磁带材，非晶软磁带材上开设有多个开孔，多个开孔与多个Micro‑LED芯片的位置一一相对应，非晶软磁带材固定于基板朝向调整平台的表面上；电磁铁装置与非晶软磁带材相连接且形成闭合回路以使非晶软磁带材将Micro‑LED芯片从蓝膜转移到基板上。