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公开(公告)号：CN1194413C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02129384.8
申请日：2002-09-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅作源端的具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明的垂直沟道场效应晶体管，其特征在于用多晶硅作器件的源端。有效的节省了有源区的面积，更好的控制了器件的沟道长度，工艺中降低了硅台刻蚀的高度，避免了多晶硅刻蚀过程中因硅台高度高而可能出现的断裂，降低了工艺难度。并且采用多晶硅作源端，可以很容易和双极器件集成，为实现BiCMOS提供了一个很好的途径。可作为半导体器件广泛应用于集成电路技术领域。
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公开(公告)号：CN1416168A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02146376.X
申请日：2002-10-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法，属于超大规模集成电路技术领域。该方法依次包括以下步骤：设计单元版图；器件隔离、栅氧化和栅多晶硅淀积，此步骤之前根据需要制作阱；利用侧墙转移实现栅线条；淀积二氧化硅，随后反应离子刻蚀二氧化硅形成侧墙；利用多晶硅固相扩散实现互补CMOS LDD区；淀积二氧化硅，随后反应离子刻蚀二氧化硅形成最终器件的侧墙；采用常规后续工艺形成源漏，刻蚀接触孔，形成金属连线，完成器件之间的连接。本发明方法避免了极细栅线条和超浅结制作对半导体设备的苛刻要求，工艺简单易行，具有很大的优越性。
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公开(公告)号：CN1240138C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN02129385.6
申请日：2002-09-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明在现有垂直沟道场效应晶体管的漏端增加LDD结构，在源端形成Halo结构；即，对于n型管，在漏端与沟道之间增加一个n-区，在源端与沟道之间增加一个p+区；对于p型管，在漏端与沟道之间增加一个p-区，在源端与沟道之间增加一个n+区。本发明的垂直沟道场效应晶体管，可以有效的降低器件的短沟道效应，降低阈值的漂移，减小DIBL效应。同时降低了器件的关态电流，减小了功耗，提高了器件的开关比。这些特点都可以很好的改善器件尺寸减小而出现的问题，其优越性随着器件特征尺寸的减小表现更明显。可作为半导体器件广泛应用于集成电路技术领域。
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公开(公告)号：CN1182578C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN02146376.X
申请日：2002-10-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法，属于超大规模集成电路技术领域。该方法依次包括以下步骤：设计单元版图；器件隔离、栅氧化和栅多晶硅淀积，此步骤之前根据需要制作阱；利用侧墙转移实现栅线条；淀积二氧化硅，随后反应离子刻蚀二氧化硅形成侧墙；利用多晶硅固相扩散实现互补CMOS LDD区；淀积二氧化硅，随后反应离子刻蚀二氧化硅形成最终器件的侧墙；采用常规后续工艺形成源漏，刻蚀接触孔，形成金属连线，完成器件之间的连接。本发明方法避免了极细栅线条和超浅结制作对半导体设备的苛刻要求，工艺简单易行，具有很大的优越性。
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公开(公告)号：CN1215572C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03142614.X
申请日：2003-06-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种感应源漏扩展区MOS晶体管结构及其制备方法。该结构采用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅极；感应源漏扩展区是利用倒置多晶硅电学感应产生，同时沟道区利用倒置多晶硅侧墙形成；栅电极和倒置多晶硅侧墙之间有二氧化硅隔离层；栅极和倒置多晶硅侧墙下面均有氧化层；沟道区和感应源漏扩展区独立掺杂。采用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅极，解决了缩短电学感应源漏扩展区长度的困难；采用沟道区和感应源漏扩展区独立掺杂，实现了沟道区和感应源漏扩展区各自阈值电压的优化。其制备是利用倒置多晶硅侧墙图形转移实现沟道区和利用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅电极实现电学感应源漏扩展区，从而最终实现MOS器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1399350A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN02129385.6
申请日：2002-09-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明在现有垂直沟道场效应晶体管的漏端增加LDD结构，在源端形成Halo结构；即，对于n型管，在漏端与沟道之间增加一个n－区，在源端与沟道之间增加一个p+区；对于p型管，在漏端与沟道之间增加一个p－区，在源端与沟道之间增加一个n+区。本发明的垂直沟道场效应晶体管，可以有效的降低器件的短沟道效应，降低阈值的漂移，减小DIBL效应。同时降低了器件的关态电流，减小了功耗，提高了器件的开关比。这些特点都可以很好的改善器件尺寸减小而出现的问题，其优越性随着器件特征尺寸的减小表现更明显。可作为半导体器件广泛应用于集成电路技术领域。
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公开(公告)号：CN1274029C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN03105085.9
申请日：2003-03-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种低静态功耗、低关态电流、高电流开关比的场效应晶体管器件。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底的两端，所述栅设于所述源端和漏端之间的衬底，所述栅分为三部分，分别为靠近源端部分栅，靠近漏端部分栅，和中间部分栅，所述中间部分栅为多晶硅材料。对本发明的模拟结果表明：适当提高靠近源端栅材料的功函数，降低靠近漏端栅材料的功函数能够显著降低器件的关态泄漏电流，减小器件的静态功耗，提高器件的电流开关比，当源、漏端的功函数为一定值时，mpolypoly结构和mpolym结构的由DIBL效应引起的阈值电压漂移有一个最小值。
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公开(公告)号：CN1527398A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03105085.9
申请日：2003-03-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种低静态功耗、低关态电流、高电流开关比的场效应晶体管器件。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底的两端，所述栅设于所述源端和漏端之间的衬底，所述栅分为三部分，分别为靠近源端部分栅，靠近漏端部分栅，和中间部分栅，所述中间部分栅为多晶硅材料。对本发明的模拟结果表明：适当提高靠近源端栅材料的功函数，降低靠近漏端栅材料的功函数能够显著降低器件的关态泄漏电流，减小器件的静态功耗，提高器件的电流开关比，当源、漏端的功函数为一定值时，mpolypoly结构和mpolym结构的由DIBL效应引起的阈值电压漂移有一个最小值。
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公开(公告)号：CN1477719A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03142614.X
申请日：2003-06-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种感应源漏扩展区MOS晶体管结构及其制备方法。该结构采用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅极；感应源漏扩展区是利用倒置多晶硅电学感应产生，同时沟道区利用倒置多晶硅侧墙形成；栅电极和倒置多晶硅侧墙之间有二氧化硅隔离层；栅极和倒置多晶硅侧墙下面均有氧化层；沟道区和感应源漏扩展区独立掺杂。采用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅极，解决了缩短电学感应源漏扩展区长度的困难；采用沟道区和感应源漏扩展区独立掺杂，实现了沟道区和感应源漏扩展区各自阈值电压的优化。其制备是利用倒置多晶硅侧墙图形转移实现沟道区和利用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅电极实现电学感应源漏扩展区，从而最终实现MOS器件。
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公开(公告)号：CN1399349A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN02129384.8
申请日：2002-09-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅作源端的具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明的垂直沟道场效应晶体管，其特征在于用多晶硅作器件的源端。有效的节省了有源区的面积，更好的控制了器件的沟道长度，工艺中降低了硅台刻蚀的高度，避免了多晶硅刻蚀过程中因硅台高度高而可能出现的断裂，降低了工艺难度。并且采用多晶硅作源端，可以很容易和双极器件集成，为实现BiCMOS提供了一个很好的途径。可作为半导体器件广泛应用于集成电路技术领域。
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