公开(公告)号：CN103035840A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210555373.6

申请日：2012-12-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  殷士辉 ,  黄如 ,  方亦陈

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608

Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括：底电极、阻变层、顶电极，所述阻变层位于所述底电极之上；所述顶电极位于所述阻变层之上；所述底电极之上设置有导电突起，所述导电突起嵌在所述阻变层内，且所述导电突起顶部宽度小于底部宽度。本发明实施例还公开了一种阻变存储器的制备方法。本发明实施例所提供的阻变存储器及其制备方法，通过在底电极上设置导电突起，可以产生“避雷针”效应，使得阻变层中电场集中分布在导电突起的附近，极大的增加了导电细丝在导电突起处生成的概率，使导电细丝的生成不再是随机的，确保了阻变存储器中各个参数的稳定性，从而大大提高了阻变存储器工作的可靠性和稳定性。