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公开(公告)号：CN1073693C
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：CN98102810.1
申请日：1998-07-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明是一种横向检测式陀螺，它是利用科立奥利力检测角速度的一种仪器。本发明立足于半导体的版图设计，在横向检测式微硅陀螺质量块上的四角处配置对称的八根梁，使得驱动与检测两方向的固有频率安全一致，以使得该陀螺的性能最佳。它是随着硅微机械加工技术的发展而发明的一种新型陀螺，可应用于汽车导航及汽车防滑自动控制等方面。
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公开(公告)号：CN1054468C
公开(公告)日：2000-07-12
申请号：CN98102573.0
申请日：1998-07-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明是一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法。通常采用的表面牺牲层工艺，在腐蚀后的清洗干燥过程中，多晶硅结构由于处理液的张力会粘附到衬底上。本发明在多晶硅结构制备的过程中，同时形成许多与衬底相连的多晶硅支柱；并分别利用氮化硅薄膜及光刻胶作为两次掩模，或两次都利用光刻胶作为掩膜，腐蚀牺牲层，干法刻出多晶硅结构，并同时把多晶硅支柱去除。本发明立足于版图设计，彻底克服了粘附效应，适合于批量生产。
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公开(公告)号：CN1828223A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200510007397.8
申请日：2005-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种水平轴微机械陀螺及其制备方法，其特征在于：它包括外框，内框，驱动电极，驱动反馈电极，驱动模态弹性梁，检测电极，检测模态弹性梁和锚点，所述驱动电极和驱动反馈电极均采用两组横向梳齿电容，所述外框通过驱动模态的弹性梁与所述固定在衬底上的锚点连接，所述驱动电极和驱动反馈电极的可动电极与所述外框连接，所述检测电极的可动电极与所述内框连接，所述检测电极为实现差分检测的两组不等高垂直梳齿电容，所述检测模态弹性梁为四组组合扭转梁，每组所述组合扭转梁的一端连接所述内框，另一端连接所述外框。本发明采用的制备方法采用常规MEMS工艺设备，可以实现大批量制造。工艺过程简单，与Z轴陀螺及加速度计工艺兼容，可用于实现单芯片的三轴陀螺或微型惯性测量单元(MIMU)。
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公开(公告)号：CN1211064A
公开(公告)日：1999-03-17
申请号：CN98102573.0
申请日：1998-07-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明是一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺。通常采用的表面牺牲层工艺,在腐蚀后的清洗干燥过程中,多晶硅结构由于处理液的张力会粘附到衬底上。本发明在多晶硅结构制备的过程中,同时形成许多与衬底相连的多晶硅支柱;并分别利用氮化硅薄膜及光刻胶作为两次掩膜,或两次都利用光刻胶作为掩膜,腐蚀牺牲层,干法刻出多晶硅结构,并同时把多晶硅支柱去除。本发明立足于版图设计,彻底克服了粘附效应,适合于批量生产。
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公开(公告)号：CN100449265C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200510007397.8
申请日：2005-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种水平轴微机械陀螺及其制备方法，其特征在于：它包括外框，内框，驱动电极，驱动反馈电极，驱动模态弹性梁，检测电极，检测模态弹性梁和锚点，所述驱动电极和驱动反馈电极均采用两组横向梳齿电容，所述外框通过驱动模态的弹性梁与所述固定在衬底上的锚点连接，所述驱动电极和驱动反馈电极的可动电极与所述外框连接，所述检测电极的可动电极与所述内框连接，所述检测电极为实现差分检测的两组不等高垂直梳齿电容，所述检测模态弹性梁为四组组合扭转梁，每组所述组合扭转梁的一端连接所述内框，另一端连接所述外框。本发明采用的制备方法采用常规MEMS工艺设备，可以实现大批量制造。工艺过程简单，与Z轴陀螺及加速度计工艺兼容，可用于实现单芯片的三轴陀螺或微型惯性测量单元(MIMU)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1605871A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410083692.7
申请日：2004-10-18
Applicant: 北京大学
IPC: G01P15/125 , B81B5/00 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种梳齿电容式Z轴加速度计及其制备方法，所述梳齿电容式Z轴加速度计包括玻璃衬底，可动电极，固定电极，支撑梁和锚点，所述两固定电极的一端分别连接在所述玻璃衬底上，所述可动电极不等高梳齿插设在两侧的所述固定电极之间，形成两组敏感电容，所述可动电极的两端分别连接一所述支撑梁，所述两支撑梁分别通过一所述锚点连接在所述玻璃衬底上，所述可动电极以所述支撑梁为轴，其两侧具有质量差。本发明的制备方法可以采用常规MEMS工艺设备，实现大批量制造，且工艺过程简单，与水平轴加速度计工艺兼容，可用于实现单芯片的三轴加速度计。
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公开(公告)号：CN1289659A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN00124752.2
申请日：2000-09-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种用于低温真空封焊的微机电系统(Micro－Electronic－Mechanic System以下简称MEMS)的真空封装外壳的设计以及相应的封装工艺。它结合了微电子技术与真空电子技术的技术特长,对传统混合集成电路所用的金属管壳进行了局部的改进,开发出低成本的MEMS真空封装管壳,并且相应地革新了低温钎焊工艺和吸气剂激活工艺流程,从而实现了简便实用的MEMS真空封装,可广泛应用于微陀螺等MEMS的封装。
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公开(公告)号：CN1127138C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN00124752.2
申请日：2000-09-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及用于微机电系统低温真空封焊的真空封装设备的外壳，以及相应的封装方法。本发明结合微电子技术与真空电子技术各自的特长，对传统混合集成电路所采用的金属管壳进行了局部的改进，设计低成本的微机电系统真空封装管壳，并且相应改变了低温钎焊方法和吸气剂激活方法。从而实现了简便实用的微机电系统真空封装，可广泛应用于微陀螺等微机电系统的封装。
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公开(公告)号：CN2363282Y
公开(公告)日：2000-02-09
申请号：CN98206564.7
申请日：1998-07-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本实用新型是硅/硅键合质量测试仪。硅/硅直接键合技术广泛地应用于SOI(在绝缘层上的硅)材料的制造、不同材料之间的连接及体硅微机械传感器与执行器的制造。硅片键合界面空洞的检测是关键技术之一。本实用新型采用普通CCD摄像仪,普通光源,配以可变焦镜头,观测硅/硅直接键合样品,图像清晰,简单实用,成本较低。
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