公开(公告)号：CN1216823A

公开(公告)日：1999-05-19

申请号：CN98102810.1

申请日：1998-07-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 肖志雄 ,  李志宏 ,  郝一龙 ,  武国英 ,  王阳元

IPC: G01C19/42

Abstract: 本发明是一种横向检测式陀螺,它是利用科立奥利力检测角速度的一种仪器。本发明立足于半导体的版图设计,在横向检测式微硅陀螺质量块上的四角处配置对称的八根梁,使得驱动与检测两方向的固有频率完全一致,以使得该陀螺的性能最佳。它是随着硅微机械加工技术的发展而发明的一种新型陀螺,可应用于汽车导航及汽车防滑自动控制等方面。

公开(公告)号：CN1073693C

公开(公告)日：2001-10-24

申请号：CN98102810.1

申请日：1998-07-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 肖志雄 ,  李志宏 ,  郝一龙 ,  武国英 ,  王阳元

IPC: G01C19/42 ,  G01P9/04

Abstract: 本发明是一种横向检测式陀螺，它是利用科立奥利力检测角速度的一种仪器。本发明立足于半导体的版图设计，在横向检测式微硅陀螺质量块上的四角处配置对称的八根梁，使得驱动与检测两方向的固有频率安全一致，以使得该陀螺的性能最佳。它是随着硅微机械加工技术的发展而发明的一种新型陀螺，可应用于汽车导航及汽车防滑自动控制等方面。

公开(公告)号：CN1054468C

公开(公告)日：2000-07-12

申请号：CN98102573.0

申请日：1998-07-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 肖志雄 ,  郝一龙 ,  张国炳 ,  李婷 ,  张大成 ,  刘诗美 ,  李志宏 ,  陈文茹 ,  武国英 ,  王阳元

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明是一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法。通常采用的表面牺牲层工艺，在腐蚀后的清洗干燥过程中，多晶硅结构由于处理液的张力会粘附到衬底上。本发明在多晶硅结构制备的过程中，同时形成许多与衬底相连的多晶硅支柱；并分别利用氮化硅薄膜及光刻胶作为两次掩模，或两次都利用光刻胶作为掩膜，腐蚀牺牲层，干法刻出多晶硅结构，并同时把多晶硅支柱去除。本发明立足于版图设计，彻底克服了粘附效应，适合于批量生产。

公开(公告)号：CN1211064A

公开(公告)日：1999-03-17

申请号：CN98102573.0

申请日：1998-07-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 肖志雄 ,  郝一龙 ,  张国炳 ,  李婷 ,  张大成 ,  刘诗美 ,  李志宏 ,  陈文茹 ,  武国英 ,  王阳元

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明是一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺。通常采用的表面牺牲层工艺,在腐蚀后的清洗干燥过程中,多晶硅结构由于处理液的张力会粘附到衬底上。本发明在多晶硅结构制备的过程中,同时形成许多与衬底相连的多晶硅支柱;并分别利用氮化硅薄膜及光刻胶作为两次掩膜,或两次都利用光刻胶作为掩膜,腐蚀牺牲层,干法刻出多晶硅结构,并同时把多晶硅支柱去除。本发明立足于版图设计,彻底克服了粘附效应,适合于批量生产。

公开(公告)号：CN2363282Y

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN98206564.7

申请日：1998-07-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 肖志雄 ,  张大成 ,  武国英 ,  张录 ,  张太平 ,  张国炳 ,  王阳元

IPC: G01N33/00 ,  G01R31/26

Abstract: 本实用新型是硅/硅键合质量测试仪。硅/硅直接键合技术广泛地应用于SOI(在绝缘层上的硅)材料的制造、不同材料之间的连接及体硅微机械传感器与执行器的制造。硅片键合界面空洞的检测是关键技术之一。本实用新型采用普通CCD摄像仪,普通光源,配以可变焦镜头,观测硅/硅直接键合样品,图像清晰,简单实用,成本较低。