公开(公告)号：CN1322552C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN03153740.5

申请日：2003-08-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 施小康 ,  于民 ,  石浩 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种离子注入涨落的模拟方法，该方法根据离子注入模拟方法获得N次离子注入后，注入离子在靶材料中的最终三维位置，然后在垂直于靶材料表面的方向进行栅格划分，获取单次离子注入后在每个栅格内的停留离子的数目以及N次离子注入后每个栅格内平均停留离子的数目，进而采用统计的方法获得掺杂离子的涨落分布。本发明涨落模拟方法不仅考虑影响半导体掺杂涨落的掺杂离子数目，而且充分考虑了掺杂离子所处的深度的因素，通过本发明，基于现有的模拟数据，可以获得离子注入半导体掺杂的细致涨落，获得掺杂涨落与深度的变化关系，本发明提出的对掺杂涨落的标定方法，更加有利于数据的分析和后续的应用。

公开(公告)号：CN1448991A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03109609.3

申请日：2003-04-09

Applicant: 北京大学 ,  富士通株式会社

Inventor： 施小康 ,  黎明 ,  石浩 ,  于民 ,  黄如 ,  张兴 ,  张进宇 ,  铃木邦广 ,  冈秀树

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66 ,  H01L21/70 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供了一种包含剂量效应的离子注入高速模拟方法，是将分裂方法和剂量效应相结合，具体是虚离子、实离子交替注入模拟，直至完成所有实离子的注入。本发明的方法一共只进行一次模拟实验，注入离子被人为地划分为实离子和虚离子，实离子模拟级联碰撞，不断产生注入过程中的缺陷分布；虚离子模拟注入的射程分布，不必跟踪级联碰撞，亦不产生注入靶材料的缺陷分布。本发明的模拟方法，离子注入的射程分布可以很好地被模拟，模拟结果很好地符合SIMS的实验结果；对离子注入的模拟不但可以保持高精度，而且还可以实现高速高效模拟；同时由于本发明的模拟方法引入了缺陷产生，得到的缺陷分布还可以应用后续的退火模拟，并最终实现完全的工艺仿真。

公开(公告)号：CN1194387C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN03109609.3

申请日：2003-04-09

Applicant: 北京大学 ,  富士通株式会社

Inventor： 施小康 ,  黎明 ,  石浩 ,  于民 ,  黄如 ,  张兴 ,  张进宇 ,  铃木邦广 ,  冈秀树

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66 ,  H01L21/70 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供了一种包含剂量效应的离子注入高速模拟方法，是将分裂方法和剂量效应相结合，具体是虚离子、实离子交替注入模拟，直至完成所有实离子的注入。本发明的方法一共只进行一次模拟实验，注入离子被人为地划分为实离子和虚离子，实离子模拟级联碰撞，不断产生注入过程中的缺陷分布；虚离子模拟注入的射程分布，不必跟踪级联碰撞，亦不产生注入靶材料的缺陷分布。本发明的模拟方法，离子注入的射程分布可以很好地被模拟，模拟结果很好地符合SIMS的实验结果；对离子注入的模拟不但可以保持高精度，而且还可以实现高速高效模拟；同时由于本发明的模拟方法引入了缺陷产生，得到的缺陷分布还可以应用后续的退火模拟，并最终实现完全的工艺仿真。

公开(公告)号：CN1585098A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN03153740.5

申请日：2003-08-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 施小康 ,  于民 ,  石浩 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种离子注入涨落的模拟方法，该方法根据离子注入模拟方法获得N次离子注入后，注入离子在靶材料中的最终三维位置，然后在垂直于靶材料表面的方向进行栅格划分，获取单次离子注入后在每个栅格内的停留离子的数目以及N次离子注入后总的停留离子的数目，进而采用统计的方法获得掺杂离子的涨落分布。本发明涨落模拟方法不仅考虑影响半导体掺杂涨落的掺杂离子数目，而且充分考虑了掺杂离子所处的深度的因素，通过本发明，基于现有的模拟数据，可以获得离子注入半导体掺杂的细致涨落，获得掺杂涨落与深度的变化关系，本发明提出的对掺杂涨落的标定方法，更加有利于数据的分析和后续的应用。