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公开(公告)号：CN114551598A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210121036.X
申请日：2022-02-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于反铁电层的负电容隧穿场效应晶体管，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明在TFET控制栅中加入反铁电层带来负电容效应，当满足动态极化匹配条件时栅压放大系数大于1，亚阈值斜率可以得到改善。负电容效应中栅压放大系数先增后减，反铁电的极化‑电压关系使负电容效应可以开始于其下面串联的TFET的亚阈区，从而负电容效应中栅压放大系数上升的一段延缓了TFET亚阈值斜率退化的问题，降低平均亚阈值斜率，在低电压操作时提高了开态电流，展示出巨大的超低功耗应用前景。
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