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公开(公告)号：CN1697312A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510011927.6
申请日：2005-06-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种低压低功耗高隔离度差分放大器，该放大器差分信号的输入端为两个以共源方式连接的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，采用电阻、电感或其它有源器件作为负载，电阻、电感或其它有源器件作为放大器源端反馈元件或尾电流源，本发明增加了两个与共源输入MOSFET完全相同的MOSFET，其中一个MOSFET的栅端与输入正信号的共源MOSFET的栅端相连，漏端与输入负信号的共源MOSFET漏端相连(负输出端)，另一个MOSFET的栅端与输入负信号的共源MOSFET的栅端相连，漏端与输入正信号的共源MOSFET漏端相连(正输出端)。由于充分利用了深亚微米MOSFET器件工作在饱和区和工作在截止区时器件的栅漏电容相同的特点，本发明具有低压低功耗、高反向隔离度。
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公开(公告)号：CN1697311A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510011928.0
申请日：2005-06-14
Applicant: 北京大学
IPC: H03D7/12
Abstract: 本发明提供一种低压低功耗双栅金属氧化物半导体场效应晶体管混频器，该混频器包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件、电阻、电感、电容，将射频信号和本振信号同时加在MOSFET器件上，并加上一定的偏置电压以保证器件工作在饱和区，其负载采用电阻、电感、电容或者是三者之间的任意组合，上述MOSFET器件为一个或若干个双栅场效应晶体管，射频信号分别从上述双栅场效应晶体管的前栅/背栅输入，本振信号分别从上述双栅场效应晶体管的背栅/前栅输入，由于在同一个双栅MOS器件中实现了本振信号和射频信号的同时输入，实现了低电压下的混频，有利于低压和低功耗工作，可用于深亚微米RF CMOS电路的应用。
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公开(公告)号：CN1635637A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN200310123486.X
申请日：2003-12-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出了一种立体集成电感，包括衬底层、底层平行金属线、二氧化硅介质层和顶层平行金属线；所述的底层平行金属线设置在衬底与二氧化硅介质层之间，顶层平行金属线设置在二氧化硅隔离层上，通过穿过二氧化硅介质层内表面溅射有金属接触孔与底层平行金属线相连，形成单方向绕行的金属线圈；本发明提出的新型三维立体集成电感，采用常规工艺，即可实现三维立体结构，改变传统电感的二维结构。从根本上抑制了衬底涡流。并且该发明可以用于各类型衬底结构。同时电感各结构参数可以根据实际需要和工艺水平调节，具有很大的灵活性。并且，本发明立体电感中空面积的增加，并不会引起面积的增加，因此，在射频电路具有非常广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1622330A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200310115454.5
申请日：2003-11-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种集成电感及其制造方法，制造方法包括：清洗原始Si衬底并通过ICP工艺，在原始Si衬底上刻蚀深槽或深孔；所述深槽的宽度或深孔的直径一般为1μm－6μm；间距为1μm－3μm；然后，氧化一层隔离作用的SiO2，厚度为1000－4000埃，形成SiO2隔离层；通过低压化学汽相法淀积填充物(多晶硅2－3微米)，增加开孔或开槽衬底的机械强度；采用常规的集成电感制作工艺，完成集成电感的制造。本发明采用带有深槽或深孔的衬底制造集成电感，对于SOI衬底和体硅衬底有效的阻断衬底涡流，提高电感的品质因子并降低电感的串联电阻，与主流CMOS工艺能够很好的兼容；而且各结构参数根据实际需要和工艺水平调节的范围很大，在射频电路领域，具有非常广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1604460A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410009728.7
申请日：2004-10-29
Applicant: 北京大学
IPC: H03B7/02
Abstract: 本发明公开了一种实现射频压控振荡器频率粗调的装置，包括LC谐振回路和用于提供负电导的有源器件，所述LC谐振回路中的电容为三端变容管，该三端变容管的两控制端分别接不同的控制电路。本发明与数字开关电容压控振荡器相比，本发明仅使用单个的三端变容管，省去了额外的固定电容。使用单个的三端变容管将大大的节省芯片的成本。并且，核心电路部分的简化对于减少设计的复杂度，降低相位噪声的设计难度，以及获得稳定可靠的压控振荡器性能具有很大的帮助。
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公开(公告)号：CN1601707A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410009631.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种SOC硅衬底的加工方法，包括：将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线，并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，其中不带电路一面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明工艺简单、易操作，并且与常规CMOS工艺技术相兼容。
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公开(公告)号：CN1601695A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410009629.9
申请日：2004-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种射频平面螺旋集成电感的加工方法，包括，在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线，并将其整体用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，背面的胶带上留有小孔；将制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将所述硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并临界干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明有效地提高了集成电感的感值和品质因数，并且制造工艺方法简单、易操作。
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