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公开(公告)号：CN1314133C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN03137436.0
申请日：2003-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/94
Abstract: 本发明公开了一种双沟道积累型变容管及其制造方法，所述的方法包括：按照制作单沟变容管的方法，制作下层沟道、第一栅氧化层、栅极、侧墙、源极、漏极，源漏注入后，沿单沟变容管的源极、侧墙、栅极和漏极上部淀积或者氧化一层第二栅氧化层；接着在第二栅氧化层之上再淀积一层原位掺杂的多晶硅，作为上层沟道；分别在两侧开设源极、漏极引出孔，引出孔贯通第二栅氧化层和上层多晶硅，金属引出线从引出孔中穿出，通过它将上层沟道和下层沟道连通起来，从而形成双沟道结构的可变电容。本发明通过单栅同时控制两个沟道，在保持其品质因子与单沟变容管相当的前提下，使变容范围增大为传统单沟变容管的两倍，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1323421C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200410009629.9
申请日：2004-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种射频平面螺旋集成电感的加工方法，包括，在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线，并将其整体用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，背面的胶带上留有小孔；将制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将所述硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并临界干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明有效地提高了集成电感的感值和品质因数，并且制造工艺方法简单、易操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1315160C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410009631.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种SOC硅衬底的加工方法，包括：将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线，并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，其中不带电路一面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明工艺简单、易操作，并且与常规CMOS工艺技术相兼容。
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公开(公告)号：CN1604460A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410009728.7
申请日：2004-10-29
Applicant: 北京大学
IPC: H03B7/02
Abstract: 本发明公开了一种实现射频压控振荡器频率粗调的装置，包括LC谐振回路和用于提供负电导的有源器件，所述LC谐振回路中的电容为三端变容管，该三端变容管的两控制端分别接不同的控制电路。本发明与数字开关电容压控振荡器相比，本发明仅使用单个的三端变容管，省去了额外的固定电容。使用单个的三端变容管将大大的节省芯片的成本。并且，核心电路部分的简化对于减少设计的复杂度，降低相位噪声的设计难度，以及获得稳定可靠的压控振荡器性能具有很大的帮助。
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公开(公告)号：CN1601707A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410009631.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种SOC硅衬底的加工方法，包括：将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线，并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，其中不带电路一面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明工艺简单、易操作，并且与常规CMOS工艺技术相兼容。
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公开(公告)号：CN1601695A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410009629.9
申请日：2004-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种射频平面螺旋集成电感的加工方法，包括，在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线，并将其整体用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，背面的胶带上留有小孔；将制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将所述硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并临界干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明有效地提高了集成电感的感值和品质因数，并且制造工艺方法简单、易操作。
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公开(公告)号：CN1567596A
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN03137436.0
申请日：2003-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/94
Abstract: 本发明公开了一种双沟道积累型变容管及其制造方法，所述的方法包括：按照制作单沟变容管的方法，制作下层沟道、栅氧一、栅极、侧墙、源极、漏极，源漏注入后，沿单沟变容管的源极、侧墙、栅极和漏极上部淀积或者氧化一层栅氧二；接着在栅氧二之上再淀积一层原位掺杂的多晶硅，作为上层沟道；分别在两侧开设源极、漏极引出孔，引出孔贯通栅氧二和上层多晶硅，金属引出线从引出孔中穿出，通过它将上层沟道和下层沟道连通起来，从而形成双沟道结构的可变电容。本发明通过单栅同时控制两个沟道，在保持其品质因子与单沟变容管相当的前提下，使变容范围增大为传统单沟变容管的两倍，具有广阔的应用前景。
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