-
-
公开(公告)号:CN1959845A
公开(公告)日:2007-05-09
申请号:CN200610137693.4
申请日:2006-11-03
Applicant: 北京大学
IPC: G11C11/409 , G11C7/22 , G06F12/02
Abstract: 本发明提供一种现场可编程门阵列中RAM的三维读写方法,属于通讯技术领域,该方法包括:(1)RAM的总数据个数L=X*Y,将现场可编程门阵列中RAM的数据结构构造成长方体;(2)长方体沿a方向的高度为W,沿b方向的长度为X或Y,沿c方向的宽度为X或Y;(3)将长方体沿c方向切割X或Y个截面,依次在每个截面上按照写入数据;(4)当写到数据L-Y时,将长方体沿b方向切割X或Y个截面,依次读取每个截面上的数据。本发明利用三维地址操作思想,可以解决传统方案对RAM资源需求过多的问题。
-
公开(公告)号:CN100527274C
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:CN200610137693.4
申请日:2006-11-03
Applicant: 北京大学
IPC: G11C11/409 , G11C7/22 , G06F12/02
Abstract: 本发明提供一种现场可编程门阵列中RAM的三维读写方法,属于通讯技术领域,该方法包括:(1)RAM的总数据个数L=X*Y,将现场可编程门阵列中RAM的数据结构构造成长方体;(2)长方体沿a方向的高度为W,沿b方向的长度为X或Y,沿c方向的宽度为X或Y;(3)将长方体沿c方向切割X或Y个截面,依次在每个截面上按照写入数据;(4)当写到数据L-Y时,将长方体沿b方向切割X或Y个截面,依次读取每个截面上的数据。本发明利用三维地址操作思想,可以解决传统方案对RAM资源需求过多的问题。
-
-