公开(公告)号：CN106044777A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610382034.0

申请日：2016-06-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘志亮 ,  常兴华 ,  郑捷 ,  李星国

IPC: C01B33/023 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01B33/023 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/16

Abstract: 本发明公开了一种由二氧化硅制备纳米硅的新方法，该方法基于镁热还原SiO2是放热的自发反应的原理，通过在室温下低转速球磨引发反应，并利用反应放热，维持反应自发进行，10min即可基本完成。原料简单易得，操作步骤非常简单，具有简单快捷，产率高，成本低、反应产物纯度高、易于放大等优势，制备出的纳米硅颗粒尺寸小，分布均匀，具有多孔结构，可利用在锂离子电池负极材料，传感器，光学器件等各个方面，极具工业化应用前景。

公开(公告)号：CN108796552B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201810622331.7

申请日：2018-06-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 武秀琪 ,  刘志亮 ,  郑捷 ,  李星国

IPC: C25B11/06 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明公开了一种Ni2P负载Ni基催化剂的制备方法及得到的Ni2P负载Ni基催化剂及其应用，其中，采用等离子体处理镍单质、镍氢氧化物以及镍氧化物均可成功实现低温磷化，得到Ni2P。同时，所述制备方法采用无毒红磷为磷源，避免了使用高毒性磷(例如PH3)、白磷或五氯化磷，以及避免使用了昂贵的有机试剂，例如P(SiMe3)3和三辛基磷(TOP)。并且，利用本发明所述制备方法得到的Ni2P负载Ni基催化剂可以直接用于电解水析氢，避免了传统颗粒型催化剂对粘结剂的使用。

公开(公告)号：CN108796552A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810622331.7

申请日：2018-06-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 武秀琪 ,  刘志亮 ,  郑捷 ,  李星国

IPC: C25B11/06 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明公开了一种Ni2P负载Ni基催化剂的制备方法及得到的Ni2P负载Ni基催化剂及其应用，其中，采用等离子体处理镍单质、镍氢氧化物以及镍氧化物均可成功实现低温磷化，得到Ni2P。同时，所述制备方法采用无毒红磷为磷源，避免了使用高毒性磷(例如PH3)、白磷或五氯化磷，以及避免使用了昂贵的有机试剂，例如P(SiMe3)3和三辛基磷(TOP)。并且，利用本发明所述制备方法得到的Ni2P负载Ni基催化剂可以直接用于电解水析氢，避免了传统颗粒型催化剂对粘结剂的使用。

公开(公告)号：CN112645308B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202011495143.6

申请日：2020-12-17

Applicant: 哈尔滨工程大学 ,  北京大学

Inventor： 刘志亮 ,  杨飘萍 ,  李至 ,  赵颖 ,  赵旭东 ,  陈顺鹏 ,  贺飞 ,  郑捷 ,  李星国

IPC: C01B32/15 ,  C01B33/021 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C22C1/08 ,  B22F9/24

Abstract: 一种铜碳原子级均匀共复合的超细多孔纳米硅的合成方法，它属于纳米材料合成技术领域。本发明要解决现有利用多种改性手段相结合的方式改性硅材料，存在需要复杂的多步反应和高温加热的反应条件，导电性低，掺杂效果不均匀，制备的多孔结构分布和大小不均匀的问题。制备方法：一、将硅化镁、氯化亚铜、氯化锡、氯化硅及碳基材料球磨；二、室温下，将球磨后的混合物浸渍于盐酸中，再利用乙醇和水的混合液为洗涤液进行洗涤，然后离心分离及干燥。本发明用于铜碳原子级均匀共复合的超细多孔纳米硅的合成。

公开(公告)号：CN112645308A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011495143.6

申请日：2020-12-17

Applicant: 哈尔滨工程大学 ,  北京大学

Inventor： 刘志亮 ,  杨飘萍 ,  李至 ,  赵颖 ,  赵旭东 ,  陈顺鹏 ,  贺飞 ,  郑捷 ,  李星国

IPC: C01B32/15 ,  C01B33/021 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C22C1/08 ,  B22F9/24

Abstract: 一种铜碳原子级均匀共复合的超细多孔纳米硅的合成方法，它属于纳米材料合成技术领域。本发明要解决现有利用多种改性手段相结合的方式改性硅材料，存在需要复杂的多步反应和高温加热的反应条件，导电性低，掺杂效果不均匀，制备的多孔结构分布和大小不均匀的问题。制备方法：一、将硅化镁、氯化亚铜、氯化锡、氯化硅及碳基材料球磨；二、室温下，将球磨后的混合物浸渍于盐酸中，再利用乙醇和水的混合液为洗涤液进行洗涤，然后离心分离及干燥。本发明用于铜碳原子级均匀共复合的超细多孔纳米硅的合成。

公开(公告)号：CN107265462A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710313733.4

申请日：2017-05-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘志亮 ,  常兴华 ,  梁盛进 ,  郑捷 ,  李星国

IPC: C01B33/033 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B33/033 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12

Abstract: 本发明公开了一种由四卤化硅制备纳米硅的方法，该方法基于碱金属和碱土金属的强还原性，通过在室温下球磨实现四卤化硅的快速高效还原。该方法极其简单高效，不需要使用任何溶剂和其它反应介质，且可以在室温下大量合成纳米硅，具有原料廉价易得，反应简单快捷，产率高，成本低，容易扩大生产等优势。所制备出的纳米硅纯度高，尺寸小，可调控，且分布均匀，可用于锂离子电池负极材料，太阳能电池，传感器，光学器件等各个方面，极具工业化应用前景。