公开(公告)号：CN107265462A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710313733.4

申请日：2017-05-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘志亮 ,  常兴华 ,  梁盛进 ,  郑捷 ,  李星国

IPC: C01B33/033 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B33/033 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12

Abstract: 本发明公开了一种由四卤化硅制备纳米硅的方法，该方法基于碱金属和碱土金属的强还原性，通过在室温下球磨实现四卤化硅的快速高效还原。该方法极其简单高效，不需要使用任何溶剂和其它反应介质，且可以在室温下大量合成纳米硅，具有原料廉价易得，反应简单快捷，产率高，成本低，容易扩大生产等优势。所制备出的纳米硅纯度高，尺寸小，可调控，且分布均匀，可用于锂离子电池负极材料，太阳能电池，传感器，光学器件等各个方面，极具工业化应用前景。