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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119889393A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411964769.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出了一种缓解非易失性忆阻器电导弛豫效应的编程方法，属于阻变存储器技术领域。本发明通过给忆阻器施加正反向亚阈值电导巩固脉冲使所写入的电导状态变得稳定，从而有效地抑制了电导随时间的弛豫效应，使所写入的信息更准确。同时，相比于已被报道的编程方法，大大降低了编程过程复杂度和时间成本，也不需要引入额外的硬件支持，对双向弛豫效应也能达到很好的抑制效果，有利于实现需要准确存储信息的应用场景，包括科学数值计算、高效类脑计算等，具有颇高的应用发展前景。
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公开(公告)号：CN119577297A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411573862.3
申请日：2024-11-06
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/11 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/063 , G06N3/08
Abstract: 本发明提供了一种全模拟数据流的神经常微分方程求解器及其计算方法，属于存内计算技术领域。本发明神经常微分方程求解器，基于忆阻器阵列，采用龙格‑库塔方法求解神经常微分方程，输入数据通过数模转换器电路转换成模拟电压值，输入到忆阻器阵列，利用忆阻器阵列及其外围电路求解龙格‑库塔方法中的临时系数，利用跨阻放大器将忆阻器阵列的电流输出转为后面级联的忆阻器阵列的电压输入，使得计算过程不需对中间结果做数模/模数的转换，所有的计算数据和计算结果都以电压值或者电流值这种模拟量的形式来表示和传递，形成全模拟数据流，提高了计算速度和效率，降低了中间计算结果的量化误差，提高了最终计算结果的精度，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119559031A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411599570.7
申请日：2024-11-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于忆阻器存内计算架构的布料模拟加速系统及方法，属于忆阻器存内计算技术领域和图形学硬件加速技术领域。本发明系统包括由忆阻器阵列构成的随机存储器、内容可寻址存储器、通用计算单元、方程组求解单元，以及数模转换模块、跨阻放大器和控制器模块；在系统上利用忆阻器存内计算架构，在存内进行计算，避免了数据的频繁读取，同时利用忆阻器阵列进行模拟计算，直接求解线性方程组，避免了迭代求解方程组，利用存内计算的高并行特点，同时处理大量的节点和弹簧，从而大大提高了布料模拟的速度，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118866050A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410826113.0
申请日：2024-06-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种针对忆阻型器件的基于有限状态机的写入验证方法，适用于所有忆阻型器件的多值写入，可以大大加快写入的速度。本发明将写入过程中经历的各种情况划分为不同的状态，根据每次写入的结果，以有限状态机的形式进行状态值的更新，使得下次经历同样状态时可以根据先验知识施加更加合适的写入条件，大大提高了成功写入器件的速度。本发明利用有限状态机的划分方案和状态值的更新机制在忆阻型器件上进行训练，状态值更新会趋于稳定，记录下在写入验证过程中处于不同状态时应该执行的最优操作，并在后续的写入验证中大大提高写入的速度。
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