公开(公告)号：CN104752188B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201310746845.0

申请日：2013-12-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 邹德春 ,  傅永平 ,  彭鸣 ,  于潇 ,  蔡欣 ,  简蓉

IPC: H01L21/302 ,  C01G23/053 ,  C01G19/02 ,  C01G33/00 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明提供了一种半导体金属氧化物的原位合成方法，包括：在基底上涂覆一层液态金属醇化物M(OR)y或其溶液或TiCl4，置于空气中10秒以上，形成水解层；再将其置于高温热台上，在高于400℃温度下，在空气中煅烧2分钟以上，即得到半导体金属氧化物，其中，M代表金属元素，R代表烷基单元，OR代表醇根阴离子；再通过30‑60分钟的退火（退火温度400‑500℃），即可以得到结晶性良好的半导体氧化物。相比于同体系的纳米颗粒材料，本发明制备的半导体金属氧化物结晶性更高，载流子迁移率更大。合成的材料非常有望在染料敏化太阳能电池、光解水制氢、光降解有机污染物及锂离子电池等领域得到广泛的应用。

公开(公告)号：CN104525049A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410718585.0

申请日：2014-12-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 邹德春 ,  于潇 ,  苏昕 ,  简蓉

IPC: B01J3/04 ,  C08G61/12 ,  C08L65/00 ,  C08K3/22

Abstract: 本发明公开了一种直接在无机氧化物纳米颗粒表面修饰聚3,4-乙撑二氧噻吩制备复合材料的反应容器及方法。利用本发明的反应容器及方法，气相单体非常易于渗透进入纳米颗粒之间的空隙，从而在不平整度非常高的纳米颗粒表面生成一层聚3,4-乙撑二氧噻吩薄膜，提高了复合材料的导电率。并且该过程无需对纳米颗粒进行前处理，无需氧化剂，不会在颗粒表面产生氧化剂残留；也不用经过电化学过程，保证了纳米粒子的化学活性，所制备的纳米粒子与聚3,4-乙撑二氧噻吩复合材料具有较好的导电性以及反应活性。

公开(公告)号：CN104752188A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310746845.0

申请日：2013-12-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 邹德春 ,  傅永平 ,  彭鸣 ,  于潇 ,  蔡欣 ,  简蓉

IPC: H01L21/302 ,  C01G23/053 ,  C01G19/02 ,  C01G33/00 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明提供了一种半导体金属氧化物的原位合成方法，包括：在基底上涂覆一层液态金属醇化物M(OR)y或其溶液或TiCl4，置于空气中10秒以上，形成水解层；再将其置于高温热台上，在高于400℃温度下，在空气中煅烧2分钟以上，即得到半导体金属氧化物，其中，M代表金属元素，R代表烷基单元，OR代表醇根阴离子；再通过30-60分钟的退火（退火温度400-500℃），即可以得到结晶性良好的半导体氧化物。相比于同体系的纳米颗粒材料，本发明制备的半导体金属氧化物结晶性更高，载流子迁移率更大。合成的材料非常有望在染料敏化太阳能电池、光解水制氢、光降解有机污染物及锂离子电池等领域得到广泛的应用。

公开(公告)号：CN103700798A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310689732.1

申请日：2013-12-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 邹德春 ,  傅永平 ,  蔡欣 ,  于潇 ,  彭鸣 ,  简蓉

IPC: H01M2/16

CPC classification number: H01M10/0431 ,  H01M2/162 ,  H01M2/1673

Abstract: 本发明公开了一种纤维化学储能电源及其制备方法，其包括纤维正极、纤维负极、电解质、隔膜纤维和外封装层。纤维正极（纤维负极）又包括导电丝状基底和包覆于导电丝状上的电化学活性材料。其中隔膜纤维为绝缘的纤维以一定的螺距缠绕在其中一根工作电极表面构成，以防止两电极直接接触引起的短路。纤维正极和纤维负极可以相互缠绕或者平行放置，并置于柔性的外封装层中，电解质充满在外封装层及两工作电极之间。这种纤维状化学储能电源不仅可以实现高效的储能,同时还赋予储能电池良好的柔性及便携性。值得一提的是，我们发明的这种纤维状的化学储能电源结构使用于所有类型的化学储能电源，可以极大地丰富了我们生活中的电源形式。

公开(公告)号：CN104525049B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410718585.0

申请日：2014-12-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 邹德春 ,  于潇 ,  苏昕 ,  简蓉

IPC: B01J3/04 ,  C08G61/12 ,  C08L65/00 ,  C08K3/22

Abstract: 本发明公开了一种直接在无机氧化物纳米颗粒表面修饰聚3,4-乙撑二氧噻吩制备复合材料的反应容器及方法。利用本发明的反应容器及方法，气相单体非常易于渗透进入纳米颗粒之间的空隙，从而在不平整度非常高的纳米颗粒表面生成一层聚3,4-乙撑二氧噻吩薄膜，提高了复合材料的导电率。并且该过程无需对纳米颗粒进行前处理，无需氧化剂，不会在颗粒表面产生氧化剂残留；也不用经过电化学过程，保证了纳米粒子的化学活性，所制备的纳米粒子与聚3,4-乙撑二氧噻吩复合材料具有较好的导电性以及反应活性。