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公开(公告)号：CN118676239B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411147335.6
申请日：2024-08-21
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且Bi2Te3材料层的一端与MoSe2材料层的表面接触，与MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器器的光电转换效率和响应速度。
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公开(公告)号：CN118884607A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411390757.6
申请日：2024-10-08
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于梯度沟槽线结构的片上集成解波复用器件及设计方法，该解波复用器件在SOI平台的波导硅层上沿长度方向顺次刻蚀有第一层沟槽线组和第二层沟槽线组，其中，第一层沟槽线组为聚焦层，复用光波耦入聚焦层内，聚焦层将复用光波中的第一波长光波进行聚焦，将复用光波中的其他波长光波折射到第一波长光波焦点的两侧范围内；第二层沟槽线组为波分层，波分层对不同波长光波产生不同的等效折射率，以使不同波长的光波沿不同路径输出，实现复用光波的解复用。本发明结构设计直观，通过聚焦方法减少光波损耗，解决了传统设计中的复杂性、损耗高和调控性不足的问题，且器件体积小、重量轻，便于集成和部署。
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公开(公告)号：CN118676239A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411147335.6
申请日：2024-08-21
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且Bi2Te3材料层的一端与MoSe2材料层的表面接触，与MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器器的光电转换效率和响应速度。
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公开(公告)号：CN117747692B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311563565.6
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供了一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，包括衬底，以及在衬底上外延生长的缓冲层；双色探测器还包括短波通道层和中波通道层，短波通道层和所述中波通道层之间外延生长中间势垒层；其中，短波通道层包括：在缓冲层上外延生长第一M型结构，以及在第一M型结构上外延生长第二M型结构，其中，第一M型结构和第二M型结构为InAs/GaSb/AlSb/GaSb结构。本发明结合了NBN型探测器与M结构探测器的优点，使得探测器具有良好的探测性能，降低器件的暗电流密度以及提高器件的量子效率。
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公开(公告)号：CN119575729A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411820246.3
申请日：2024-12-11
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜波导串联双微环的光频梳产生装置及方法，装置包括在铌酸锂薄膜上刻蚀的第一总线波导、第一环形波导、第二环形波导及第二总线波导；其中，第一总线波导的一端为泵浦光输入端，另一端为辅助光输入端，第一总线波导与第一环形波导相互耦合，第一环形波导和第二环形波导相互耦合，第二环形波导为孤子腔，孤子腔下方设置有温度调控装置，通过对孤子腔的温度进行调控使孤子腔的谐振峰漂移，以使泵浦光进入孤子态，且辅助光对泵浦光的孤子态进行功率补偿，产生孤子光频梳。本发明结合辅助光热调，使得微腔热效应得到补偿，提升孤子稳定性，最终从孤子腔端口输出得到性能稳定且具有高相干性和高平坦度的梳状结构光谱。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118884607B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411390757.6
申请日：2024-10-08
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于梯度沟槽线结构的片上集成解波复用器件及设计方法，该解波复用器件在SOI平台的波导硅层上沿长度方向顺次刻蚀有第一层沟槽线组和第二层沟槽线组，其中，第一层沟槽线组为聚焦层，复用光波耦入聚焦层内，聚焦层将复用光波中的第一波长光波进行聚焦，将复用光波中的其他波长光波折射到第一波长光波焦点的两侧范围内；第二层沟槽线组为波分层，波分层对不同波长光波产生不同的等效折射率，以使不同波长的光波沿不同路径输出，实现复用光波的解复用。本发明结构设计直观，通过聚焦方法减少光波损耗，解决了传统设计中的复杂性、损耗高和调控性不足的问题，且器件体积小、重量轻，便于集成和部署。
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公开(公告)号：CN119317198A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411429666.9
申请日：2024-10-14
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明涉及半导体器件设计及制造领域，公开了一种基于MBE生长二类超晶格红外探测器的方法，包括：半导体衬底；缓冲层：设置在半导体衬底上方；N型下电极接触层：位于缓冲层上方；中波红外吸收层：位于N型下电极接触层上方；电子势垒层：位于中波红外吸收层上方；短波红外吸收层：位于电子势垒层上方；N型上电极接触层：位于短波红外吸收层上方；Cap层：位于N型上电极接触层上方；电极层：上电极位于所述Cap层上方；下电极与N型下电极接触层相接；钝化层：覆盖在探测器的侧壁。通过采用电子势垒层来分隔不同的吸收层，减少了不同波段之间的串音效应，从而降低了探测器在复杂环境下的虚警率，这一特性使得探测器在高干扰环境下仍能保持高精度。
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公开(公告)号：CN119308012A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411430204.9
申请日：2024-10-14
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料分子束外延生长制造领域，公开了一种控制As背景压强以减少InAs/GaSb表面缺陷的方法，包括以下步骤：S1：衬底准备与预处理，选择适合的GaSb单晶衬底，并对GaSb衬底进行选择、清洁、除气和脱氧处理；S2：GaSb缓冲层的外延生长，在经过处理的GaSb衬底上外延生长GaSb缓冲层；S3：As背景压强的控制，在GaSb缓冲层生长过程中，通过调节As针阀的开度，控制和稳定腔体内的As背景压强；S4：InAs/GaSb超晶格的生长，在控制好的As背景压强条件下，逐层生长InAs和GaSb超晶格结构。通过精确控制As背景压强，可以有效减少InAs/GaSb表面形成的“亮点”缺陷和其他表面缺陷，提高超晶格材料的表面质量。
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公开(公告)号：CN119308009A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411429812.8
申请日：2024-10-14
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明涉及红外探测领域，公开了一种基于人工智能的分子束外延生长过程控制方法，包括以下步骤：S1：生长材料选择，根据目标应用需求，选择具备特定光电性能的半导体材料；S2：晶片生长，在超高真空环境下，实现晶片的外延生长；S3：数据采集与高质量晶片筛选，实时采集生长过程数据，并通过X射线衍射和原子力显微镜检测晶片质量；S4：数据处理，对采集的数据进行信号处理和降维操作，去除噪声和异常值；S5：模型训练；S6：优化与控制。通过人工智能技术使得系统能够自动分析和调整生长过程中的关键参数，实现精确控制，减少了对操作人员经验的依赖。系统自动处理和优化生长参数，即使操作人员经验不足，也能通过系统实现高质量的材料生长。
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公开(公告)号：CN117747693B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311568221.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0376
Abstract: 本发明提供了一种基于GaSb光子晶体板的多光谱短波红外探测器，包括二类超晶格PBIN探测单元，以及在二类超晶格PBIN探测单元的GaSb盖层上集成的GaSb光子晶体板；GaSb光子晶体板包括多个晶体板单元，并且多个晶体板单元的周期不同、晶格常数不同；每一个晶体板单元开设多个探测孔，多个晶体板单元的探测孔的孔尺寸不同。本发明具有波长选择性、光谱多样性、高分辨率、工作波段广泛的优势。
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