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公开(公告)号：CN115939236B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202211315089.1
申请日：2022-10-26
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/101
Abstract: 本发明提供了一种中长波双色红外探测器，包括：GaSb衬底；在GaSb衬底生长的GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层生长的长波通道下接触层，其中，长波通道下接触层为100nm厚的14InAs/7GaSb超晶格，并进行Si掺杂；在长波通道下接触层生长的长波通道吸收层，其中，长波通道吸收层为1600nm厚的14InAs/7GaSb超晶格；在长波通道的吸收层生长的公共势垒层，其中，公共势垒层为100nm厚的AlGaSb；在公共势垒层生长的中波通道吸收层，其中，中波通道吸收层为2000nm厚的InAs/InAsSb超晶格；在中波通道吸收层生长的中波通道上接触层，其中，中波通道上接触层为100nm厚的InAs/InAsSb超晶格，并进行Si掺杂；在中波通道上接触层生长的顶电极层，在GaSb缓冲层生长的底电极层。本发明降低器件暗电流，提高器件探测性能，具有良好的探测效果。
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公开(公告)号：CN117747692B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311563565.6
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供了一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，包括衬底，以及在衬底上外延生长的缓冲层；双色探测器还包括短波通道层和中波通道层，短波通道层和所述中波通道层之间外延生长中间势垒层；其中，短波通道层包括：在缓冲层上外延生长第一M型结构，以及在第一M型结构上外延生长第二M型结构，其中，第一M型结构和第二M型结构为InAs/GaSb/AlSb/GaSb结构。本发明结合了NBN型探测器与M结构探测器的优点，使得探测器具有良好的探测性能，降低器件的暗电流密度以及提高器件的量子效率。
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公开(公告)号：CN116401917A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310319083.X
申请日：2023-03-29
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: G06F30/23 , G16C60/00 , G06F113/26 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种基于逆有限元的复合材料板热变形重构方法包括：S1、将复合材料板划分为多个三角形状的离散单元，每个离散单元上表面的中心处粘贴FBG传感器三向应变花，S2、构造多个三角形状的离散单元的形函数；S3、测量每个离散单元的实测应变信息；S4、计算每个离散单元的理论应变信息；S5、通过每个离散单元的实测应变信息与每个离散单元的理论应变信息建立实测应变与理论应变的最小二乘误差函数；S6、计算每个离散单元的节点自由度；S7、多个三角形状的离散单元的节点自由度叠加；S8、重构复合材料板热变形。本发明不需要对复合材料薄板的材料属性、模态进行事先分析，只需要通过构造相应的逆向单元并结合应变信息即可实现变形的求解。
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公开(公告)号：CN115657338A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211328980.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于相变材料调制光子晶体纳米梁的光存储器，包括：孔径啁啾型光子晶体纳米梁，在所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置的第一侧形成P型掺杂区，在所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置的第二侧形成N型掺杂区，在所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置溅射相变材料；其中，所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置与P型掺杂区之间形成间距，所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置与N型掺杂区之间形成间距。本发明使用相变材料能够很好的克服通过热光效应或者电光效应对硅基波导的折射率进行调谐不稳定的缺点。
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公开(公告)号：CN115655323A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211332429.1
申请日：2022-10-28
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种光纤光栅传感网络的光谱类型识别方法，包括：步骤S1、采集光纤光栅传感网络的光谱数据，其中，所述光纤光栅传感网络包括多个光纤光栅链路，每个光纤光栅链路包括多个光纤光栅；步骤S2、对采集到的所有光谱数据进行预处理，提取每个光纤光栅的光谱特征；步骤S3、将提取到的每个光纤光栅的光谱特征输入到支持向量机，识别每个光纤光栅的光谱类型。本发明解决了畸变光谱难以被解调的问题，极大的提升了光纤光栅传感网络的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN117747693B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311568221.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0376
Abstract: 本发明提供了一种基于GaSb光子晶体板的多光谱短波红外探测器，包括二类超晶格PBIN探测单元，以及在二类超晶格PBIN探测单元的GaSb盖层上集成的GaSb光子晶体板；GaSb光子晶体板包括多个晶体板单元，并且多个晶体板单元的周期不同、晶格常数不同；每一个晶体板单元开设多个探测孔，多个晶体板单元的探测孔的孔尺寸不同。本发明具有波长选择性、光谱多样性、高分辨率、工作波段广泛的优势。
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公开(公告)号：CN117761920B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311571482.1
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于“BP‑AHA”异质集成的多模式微环谐振调制器包括，全通型微环，以及沉积在全通型微环内部的漏极、沉积在全通型微环外部的源极；源极和漏极之间由BP‑AHA结构连接，并且在BP‑AHA结构顶部沉积栅极。本发明可以通过栅极施加电压进行电压调制，也可以通过空间激光进行调制，实现了单器件的多模式调制，有一定的应用场景。
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公开(公告)号：CN117747693A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311568221.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0376
Abstract: 本发明提供了一种基于GaSb光子晶体板的多光谱短波红外探测器，包括二类超晶格PBIN探测单元，以及在二类超晶格PBIN探测单元的GaSb盖层上集成的GaSb光子晶体板；GaSb光子晶体板包括多个晶体板单元，并且多个晶体板单元的周期不同、晶格常数不同；每一个晶体板单元开设多个探测孔，多个晶体板单元的探测孔的孔尺寸不同。本发明具有波长选择性、光谱多样性、高分辨率、工作波段广泛的优势。
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公开(公告)号：CN117747691A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311563148.1
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种双色势垒型GaSb基InAs/InAsSb异质结光电晶体管，衬底，在衬底上外延生长缓冲层、第一接触层、第一异质结、第二异质结和第二接触层，以及沿第二接触层、第二异质结、第一异质结蚀刻至第一接触层的台阶；第一接触层上形成第一金属电极，第二接触层上形成第二金属电极，并且第二接触层、第二异质结、第一异质结和第一接触层的蚀刻表面沉积钝化层；第一异质结为中波异质结，第二异质结为长波异质结；第一接触层为中波N型接触层，第二接触层为长波N型接触层。本发明具有高响应度、高光电增益、高探测率、低暗电流、低串扰等优点，实现对多个波段的探测。
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公开(公告)号：CN116540362A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310317271.9
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明提供了一种微环谐振器权重高精度校准系统，包括：阵列布置的多个激光器，以及与多个激光器对应连接的多个马赫曾德调制器；其中，多个马赫曾德调制器的RF端用于输入不同频率的测试信号，多个马赫曾德调制器的BIAS端用于输入不同频率的调制信号，测试信号的频率高于调制信号的频率；多个马赫曾德调制器连接波分复用器，波分复用器连接多个串联的微环谐振器；微环谐振器连接电流源，电流源用于向多个所述微环谐振器输入相同频率的扫描信号，其中，调制信号的频率高于扫描信号的频率。本发明对微环谐振器的权重进行校准，有效提高了微环谐振器的精度。
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