公开(公告)号：CN119317198A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411429666.9

申请日：2024-10-14

Applicant: 北京信息科技大学 ,  广州市南沙区北科光子感知技术研究院

Inventor： 祝连庆 ,  杨继兴 ,  鹿利单 ,  陈伟强 ,  董明利 ,  何彦霖

IPC: H10F30/21 ,  H10F77/14 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件设计及制造领域，公开了一种基于MBE生长二类超晶格红外探测器的方法，包括：半导体衬底；缓冲层：设置在半导体衬底上方；N型下电极接触层：位于缓冲层上方；中波红外吸收层：位于N型下电极接触层上方；电子势垒层：位于中波红外吸收层上方；短波红外吸收层：位于电子势垒层上方；N型上电极接触层：位于短波红外吸收层上方；Cap层：位于N型上电极接触层上方；电极层：上电极位于所述Cap层上方；下电极与N型下电极接触层相接；钝化层：覆盖在探测器的侧壁。通过采用电子势垒层来分隔不同的吸收层，减少了不同波段之间的串音效应，从而降低了探测器在复杂环境下的虚警率，这一特性使得探测器在高干扰环境下仍能保持高精度。