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公开(公告)号：CN112821730B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110196868.3
申请日：2021-02-22
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明公开了一种新型驱动拓扑及其驱动方法与串扰抑制方法，适用于半桥电路的碳化硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管，包括原边逻辑处理单元、两个隔离单元、两个副边逻辑处理单元、两个多电平驱动电路、两个驱动电阻网络、两个关断漏极电流检测反馈电路。本发明根据检测电路反馈信息确定下一次多电平脉冲信号，可以检测反馈自适应以优化关断特性，通过副边逻辑控制单元做减法运算有效消除检测电路固有检测电路硬件延迟的影响，从而抑制半桥电路开关管的关断瞬态振荡与电压过冲。在主动管动作时，通过调整被动管的栅源极电平来抑制串扰的影响，从而防止寄生开通与栅源极负压过冲，从而提高器件的使用可靠性和寿命。
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公开(公告)号：CN112821730A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110196868.3
申请日：2021-02-22
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明公开了一种新型驱动拓扑及其驱动方法与串扰抑制方法，适用于半桥电路的碳化硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管，包括原边逻辑处理单元、两个隔离单元、两个副边逻辑处理单元、两个多电平驱动电路、两个驱动电阻网络、两个关断漏极电流检测反馈电路。本发明根据检测电路反馈信息确定下一次多电平脉冲信号，可以检测反馈自适应以优化关断特性，通过副边逻辑控制单元做减法运算有效消除检测电路固有检测电路硬件延迟的影响，从而抑制半桥电路开关管的关断瞬态振荡与电压过冲。在主动管动作时，通过调整被动管的栅源极电平来抑制串扰的影响，从而防止寄生开通与栅源极负压过冲，从而提高器件的使用可靠性和寿命。
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公开(公告)号：CN216699815U
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202120389209.7
申请日：2021-02-22
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本实用新型公开了一种新型驱动拓扑，适用于半桥电路的碳化硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管，包括原边逻辑处理单元、两个隔离单元、两个副边逻辑处理单元、两个多电平驱动电路、两个驱动电阻网络、两个关断漏极电流检测反馈电路。本实用新型根据检测电路反馈信息确定下一次多电平脉冲信号，可以检测反馈自适应以优化关断特性，通过副边逻辑控制单元做减法运算有效消除检测电路固有检测电路硬件延迟的影响，从而抑制半桥电路开关管的关断瞬态振荡与电压过冲。在主动管动作时，通过调整被动管的栅源极电平来抑制串扰的影响，从而防止寄生开通与栅源极负压过冲，从而提高器件的使用可靠性和寿命。
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