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公开(公告)号：CN117118239B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202310826344.7
申请日：2023-07-06
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于多端口DC/DC变换器的软开关设计与控制方法，适用于任意源载端口数目的软开关控制方式，通过变压器变比的设计和源端口和负载端口占空比的调制，构造出一个端口间电压相互匹配的软开关条件，可以实现所有端口开关管的ZVS开通，降低变换器的开关损耗，提高变换器的效率。同时，采用本发明的控制方式可以降低各端口H桥交流侧的电流峰值，降低变换器此时的通态损耗，提高变换器的效率，且方便变压器和器件的设计和选型。
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公开(公告)号：CN117118239A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310826344.7
申请日：2023-07-06
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于多端口DC/DC变换器的软开关设计与控制方法，适用于任意源载端口数目的软开关控制方式，通过变压器变比的设计和源端口和负载端口占空比的调制，构造出一个端口间电压相互匹配的软开关条件，可以实现所有端口开关管的ZVS开通，降低变换器的开关损耗，提高变换器的效率。同时，采用本发明的控制方式可以降低各端口H桥交流侧的电流峰值，降低变换器此时的通态损耗，提高变换器的效率，且方便变压器和器件的设计和选型。
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公开(公告)号：CN113098306A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110341629.2
申请日：2021-03-30
Applicant: 北京交通大学
IPC: H02M7/483 , H02M7/5395
Abstract: 本发明涉及一种五电平及多电平层叠式多单元变换器调制控制方法，五电平层叠式多单元变换器，包括三个桥臂，每个桥臂为一相。每个桥臂均包括：第一模块单元、第二模块单元、上悬浮电容和下悬浮电容；多电平层叠式多单元变换器，包括三个桥臂，每个桥臂为一相。每个桥臂均包括：n个模块单元、n‑1个上悬浮电容和n‑1个下悬浮电容；所述载波调制方法相比原有方法的主要优势在于直接通过载波比较方式获取各个开关管的驱动信号，且能实现对于所述五电平及多电平层叠式多单元变换器中点电压和悬浮电容电压的同时控制。此外，该方案自然的避免了大换流回路开关切换过程，具有动态响应快、悬浮电容电压波动小、开关频率更低的优势。
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公开(公告)号：CN112492750A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011129366.0
申请日：2020-10-21
Applicant: 北京交通大学
IPC: H05K1/14 , H02H7/12 , H02M1/00 , H02M3/00 , H03K17/082
Abstract: 本发明涉及一种功能层叠型大功率驱动保护电路，包括供电电源板、控制电路板及功率电路板，所述供电电源板、控制电路板及功率电路板通过接插件构成层叠立体结构；各功能电路板功能作用相互独立，且物理连接可靠性高，提高电路基板与空间利用率，降低维护难度，减小生产成本；通过更换供电电源板的DC/DC电源模块满足不同类型功率器件对驱动电压的要求，修改功率电路板设计与不同封装形式功率器件进行灵活匹配，无需更改其他功能电路板，提高驱动电路的通用性及设计便利性。
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公开(公告)号：CN106100297B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201610623655.3
申请日：2016-08-02
Applicant: 北京交通大学
IPC: H02M1/088
CPC classification number: Y02B70/1483
Abstract: 本发明涉及一种基于碳化硅MOSFET的驱动电路。该驱动电路的开通和关断回路经过不同的回路，还包括：四个电容Ca1_H、Ca2_H、Ca1_L和Ca2_L，电容Ca2_H和Ca2_L的作用是减小封装引脚上的共源寄生电感LS2H和LS2L的影响；电容Ca1_H和Ca1_L的作用是在发生串扰时，为碳化硅MOSFET封装内部的结电容CGDH和CGDL的充放电电流提供更低阻抗的回路。本发明可用于抑制具有桥臂结构的变流器如三相桥式逆变器、全桥DC‑DC变换器等中的串扰问题，在不增加驱动电路复杂性的前提下，抑制了串扰问题引起的碳化硅MOSFET栅源极电压尖峰，提高了基于碳化硅MOSFET的电力电子装置的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105389421A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510686381.8
申请日：2015-10-21
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管C5D50065D的仿真模型，包括相互串联的第一压控电流源和温控电阻；与第一压控电流源和温控电阻并联的第二压控电流源，其中，第一压控电流源用于模拟碳化硅肖特基二极管的正向特性和反向特性，温控电阻用于模拟碳化硅肖特基二极管的漂移区电阻，第二压控电流源用于模拟碳化硅肖特基二极管的结电容；为第一压控电流源、温控电阻和第二压控电流源进行建模的建模模块。本发明具有如下优点：不需要建模者具有深入的器件半导体知识和专业的器件测试条件，为碳化硅肖特基二极管C5D50065D的建模提供了一种新的思路，能够广泛应用于含有碳化硅肖特基二极管C5D50065D的电力电子电路仿真。
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公开(公告)号：CN117097156A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310859036.4
申请日：2023-07-13
Applicant: 北京交通大学 , 北京华航无线电测量研究所
Abstract: 本发明提出了一种新型低电压应力端口电流连续DC‑DC变换器，使用2个开关管和2个二极管或4个开关管，通过改变变换器的电路结构降低了其中开关器件的电压应力，并保持了输入输出端口电流连续的特性。
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公开(公告)号：CN112147478A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010790309.0
申请日：2020-08-07
Applicant: 北京交通大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种宽禁带半导体功率器件参数测试平台及方法，平台包括：直流供电模块、两个电容、负载、电感和驱动模块；其中一个电容的一端分别与直流供电模块的正极和第一节点连接，电容的另一端分别与直流供电模块的负极、另一个电容的一端、负载的一端、待测器件T2的源极、待测器件T4的源极连接；另一个电容的另一端分别与负载的另一端、待测器件T3的漏极连接；第三节点分别与待测器件T3的源极、待测器件T4的漏极连接；电感的一端分别与待测器件T1的源极、待测器件T2的漏极连接，另一端与第二节点连接；待测器件在平台上的工作模式，基本涵盖了实际常用的工作条件，所测特性参数基本满足需求，只需两次实验即可完成全部参数测试。
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公开(公告)号：CN111371293A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010161898.6
申请日：2020-03-10
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明涉及一种具有状态监测及故障记录功能的IGBT驱动电路，包括逻辑控制模块、故障监测模块、光纤接口和电源模块；逻辑控制模块包括：逻辑控制电路和门极功率放大电路；故障监测模块包括故障检测电路和信号处理电路；本发明将状态监测等功能集成到IGBT驱动电路中能够在第一时间内获取IGBT的工作状态，由若干比较器构成的多级检测能够实现IGBT的故障识别与状态监测，并对退化失效提前做出判断与警报，避免因IGBT模块退化失效导致系统瘫痪，与离线测试与准在线测试相比，操作方便且成本较低；通过逻辑控制芯片对累计短路故障次数进行记录输出，并实现芯片掉电数据不丢失，为IGBT全寿命周期内的剩余寿命预测与健康管理提供研究基础。
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