公开(公告)号：CN118409184A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410392040.9

申请日：2024-04-02

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 杨利华 ,  张楠 ,  王西国

IPC: G01R31/28 ,  H04Q9/00

Abstract: 本发明提出一种评价电源滤波电路滤波能力的方法，在未加滤波电路的电路电源端口注入干扰毛刺，采集电路IO通信接口的数据，统计电路IO通信接口的乱码和通信失败报错码数量。再在电路电源端口上增加电源滤波电路，并在电源滤波电路的输入端注入干扰毛刺，采集电路IO通信接口的数据，再统计电路IO通信接口的乱码和通信失败报错码数量。通过对比有无电源滤波电路时电路IO通信接口的乱码和通信失败报错码数量变化情况，由此判断该电源滤波电路在此电路中的滤波能力。

公开(公告)号：CN115390648A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210973044.7

申请日：2022-08-15

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 董攀 ,  王哲 ,  王西国

IPC: G06F1/24 ,  G06F13/40

Abstract: 一种融合通讯接口的芯片复位方法，采用接口信号采样模块为独立模块设计，使用多路选择方式覆盖芯片的所有GPIO端口，通过可配置方式监听任意接口信号的时序信息并对其进行采样判断，输出有效复位信号给芯片产生系统复位。通过该方法将外部复位和通讯接口统一，且任意GPIO端口信号可配置为复位信号，有效简化外围电路设计和降低板级成本。本专利仅提供一种原型设计方法，并不局限于开发者使用何种具体方式和工具实现，也不局限于芯片以何种接口运行。

公开(公告)号：CN115389907A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210992600.5

申请日：2022-08-18

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 陈汶永 ,  王哲 ,  董攀 ,  王西国

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明介绍一种基于交叉点开关的多接口同测装置，涉及测试领域。本发明的多接口同测装置，包括USB HUB模块、MCU通讯模块、交叉点开关模块和双向电平转换模块。其中，USB HUB模块与MCU模块相连，实现上位机与MCU模块的通讯。MCU模块与交叉点开关模块的配合使用，使MCU的多个通讯接口有选择的输出其中一个连接到电平转换模块。本发明提出的基于交叉点开关的多接口同测装置，可在一个数据通道上分时复用实现多种接口通讯，并且数据通道中信号的顺序可以任意调整。本发明提出的同测装置可用于测试大批量芯片的多种接口通讯功能及稳定性。

公开(公告)号：CN101753116B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN200810227993.0

申请日：2008-12-04

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 李冰 ,  王西国 ,  王海民

IPC: H03K5/04 ,  H03K5/05 ,  H03K5/06

Abstract: 本发明公开一种通过电路处理实现单一频率信号任意倍频的方法。通过设计高稳定度的信号源，对需倍频的信号进行处理，产生同频等脉宽信号，同频等脉宽信号与信号源上升沿同步，通过控制信号源的输出、禁止，即可实现对需倍频的信号进行倍频。

公开(公告)号：CN117835205A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410039511.8

申请日：2024-01-10

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司 ,  中电华大科技(深圳)有限公司

Inventor： 王世月 ,  刘丽丽 ,  王西国

IPC: H04W4/80 ,  H01Q1/22

Abstract: 本说明书提供有近场通信的天线以及阻抗匹配电路的调整方法和装置。所述天线的构成包括微程序控制器、与所述微程序控制器连接的近场通信控制器以及与所述近场通信控制器连接的天线电路；所述天线电路包括电磁兼容性滤波电路、阻抗匹配电路和天线等效电路；其中，所述阻抗匹配电路中的固定电容并联有对应的可调电容；所述可调电容通过连接的电压控制器调整电容值；所述电压控制器与所述微程序控制器连接，并由所述微程序控制器控制所述电压控制器输出电压的电压值。

公开(公告)号：CN106645986A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611076877.4

申请日：2016-11-29

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 温家宝 ,  王西国 ,  王丰 ,  刘丽丽 ,  张华庆 ,  乔冰

IPC: G01R29/08

CPC classification number: G01R29/08

Abstract: 本发明涉及测试验证领域，公开了一种场强测量设备，应用于测量非接读卡器场强，该设备具有场强测量，距离测量，载波频率测量三个测量功能，能够离线存储测量结果，并支持测量结果的查询；作为一种手持测量设备，可应用于不同的测量场景，与传统应用示波器测量场强相比，便携性强，可靠性高，精度高。

公开(公告)号：CN101753116A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810227993.0

申请日：2008-12-04

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 李冰 ,  王西国 ,  王海民

IPC: H03K5/04 ,  H03K5/05 ,  H03K5/06

Abstract: 本发明公开一种通过电路处理实现单一频率信号任意倍频的方法。通过设计高稳定度的信号源，对需倍频的信号进行处理，产生同频等脉宽信号，同频等脉宽信号与信号源上升沿同步，通过控制信号源的输出、禁止，即可实现对需倍频的信号进行倍频。

公开(公告)号：CN112435706B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202011226061.1

申请日：2020-11-05

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 蒋玉茜 ,  王西国 ,  董攀

IPC: G11C16/34 ,  G11C29/56

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法。针对不同应用领域对非易失性存储器擦写寿命要求不同的情况，在芯片可靠性认证中加入应用级擦写寿命测试，尽可能多地覆盖应用场景，统计和分析应用场景中的应用文件和应用数据更新频次，模拟应用中的存储空间分配和擦写寿命频次，测试非易失性存储器应用级擦写寿命。本发明提出的应用级擦写寿命测试方法，有效地评价非易失性存储器的应用级可靠性水平。

公开(公告)号：CN112435706A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202011226061.1

申请日：2020-11-05

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 蒋玉茜 ,  王西国 ,  董攀

IPC: G11C16/34 ,  G11C29/56

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法。针对不同应用领域对非易失性存储器擦写寿命要求不同的情况，在芯片可靠性认证中加入应用级擦写寿命测试，尽可能多地覆盖应用场景，统计和分析应用场景中的应用文件和应用数据更新频次，模拟应用中的存储空间分配和擦写寿命频次，测试非易失性存储器应用级擦写寿命。本发明提出的应用级擦写寿命测试方法，有效地评价非易失性存储器的应用级可靠性水平。

公开(公告)号：CN103913646A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201210595903.X

申请日：2012-12-28

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 王西国 ,  刘丽丽

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明涉及测试验证领域，提供一种非接触通信芯片(包括但不局限于高频非接触卡芯片和非接触读卡器芯片)的高低温测试装置，在保证被测非接触芯片的原有通信模式的前提下，解决了射频场受周围金属、其它射频信号的影响、受空间限制的问题，在对于射频通信来说较恶劣的通信环境中，提高测试验证的效率和结果稳定性。