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公开(公告)号：CN118471792A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410595431.0
申请日：2024-05-14
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
IPC: H01L21/205
Abstract: 本申请公开了一种在Si(111)衬底上生长AlGaN外延薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：S100、获取Si衬底，以(111)面为外延面进行Al化预处理，S200、在Al化预处理后得到的Al原子层上沉积AlN成核层，S300、在所述AlN成核层上生长厚度不低于250nm的高温AlN层，之后降温至200℃以下，S400、在所述AlN层表面生长AlGaN层，S500、在所述AlGaN层上生长GaN插入层，S600、在GaN插入层表面生长AlGaN层，S700、重复步骤S500至步骤S600。本申请所述的方法能够在硅衬底上得到高质量、高可重复性且在室温下无裂纹的高Al组分AlGaN外延薄膜。
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公开(公告)号：CN117476825B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311787649.8
申请日：2023-12-25
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/22 , H01L21/205
Abstract: 本申请公开了一种高质量AlGaN外延结构的生长方法及应用。生长方法包括：在纳米图形化衬底表面生长AlN模板层，在第一V/III比的条件在AlN模板层表面生长第一AlGaN层，在第二V/III比的条件在第一AlGaN层表面生长第二AlGaN层，按照先生长一层第一AlGaN层、再生长一层第二AlGaN层的顺序重复n个周期，在第一V/III比的条件，在第二AlGaN层表面生长第三AlGaN层，在第三V/III比的条件，在第三AlGaN层表面生长AlGaN外延层。本申请的生长方法，能够实现在纳米图形化衬底上生长出无裂纹、缺陷密度低、具有原子级台阶和表面平整的AlGaN外延层。
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公开(公告)号：CN114628558B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202210095109.2
申请日：2022-01-26
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
IPC: H10H20/819 , H10H20/825 , H10H20/832 , H10H20/01
Abstract: 本发明属于III族氮化物半导体技术领域，具体涉及一种能提高AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)的光提取效率的器件结构和相应的电极结构构型。本发明通过采取Al组分含量渐变的薄AlGaN层、薄重掺p‑GaN接触层配合高反射的Ni/Au/Al电极的结构设计，可在保证LED表面形貌良好、欧姆接触良好、低工作电压的同时，减少AlGaN基深紫外LED器件对深紫外光的吸收，并反射大部分光到衬底，从而提高光提取效率。研究表明，本发明提出的薄层设计对于280nm的深紫外光的透过率超过60％，并且厚度越薄，深紫外光透过率越高，有效克服目前深紫外LED器件光提取效率低下的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117476825A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311787649.8
申请日：2023-12-25
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/22 , H01L21/205
Abstract: 本申请公开了一种高质量AlGaN外延结构的生长方法及应用。生长方法包括：在纳米图形化衬底表面生长AlN模板层，在第一V/III比的条件在AlN模板层表面生长第一AlGaN层，在第二V/III比的条件在第一AlGaN层表面生长第二AlGaN层，按照先生长一层第一AlGaN层、再生长一层第二AlGaN层的顺序重复n个周期，在第一V/III比的条件，在第二AlGaN层表面生长第三AlGaN层，在第三V/III比的条件，在第三AlGaN层表面生长AlGaN外延层。本申请的生长方法，能够实现在纳米图形化衬底上生长出无裂纹、缺陷密度低、具有原子级台阶和表面平整的AlGaN外延层。
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公开(公告)号：CN115799069A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310062157.6
申请日：2023-01-17
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
IPC: H01L21/335 , C23C16/20
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种P‑GaN增强型HEMT器件的制备方法。本发明的制备方法至少包括以下步骤：1）制作P‑GaN型外延片：依次在Si衬底上生长AlN/GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、Al截止层和P‑GaN帽层，即可得到所述P‑GaN型外延片；2）将所述P‑GaN型外延片清洗后进行光刻；3）将光刻后的所述P‑GaN型外延片采用刻蚀气体进行刻蚀；所述刻蚀气体包括含氟气体。本发明通过设置Al截止层，能与含氟气体反应形成性质稳定的聚合物，从而保护阻挡层不受损伤，具有较高的刻蚀选择比和刻蚀精度。
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公开(公告)号：CN115602776A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211152295.5
申请日：2022-09-21
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司(CN)
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片、LED器件、消杀设备及LED芯片制备方法，该LED芯片包括第一半导体层、多个凸台、反光膜、第一电极及第二电极，第一半导体层具有第一上表面；各凸台均凸设于第一上表面，各凸台包括发光层和第二半导体层，各凸台具有第二上表面及设于第二上表面周侧的六个侧表面，各侧表面均连接第一上表面和第二上表面；反光膜设于各侧表面；第一电极设于第一上表面并位于凹槽内；第二电极设于凸台的第二上表面。对于该LED芯片，在第一半导体层的第一上表面形成点状分布且具有六个侧表面的多个凸起，各侧表面附着有反光膜，该侧表面的反光膜能够将侧面光反射回出光面，降低了侧表面出光的光损耗，提高了LED芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN114628558A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210095109.2
申请日：2022-01-26
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于III族氮化物半导体技术领域，具体涉及一种能提高AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)的光提取效率的器件结构和相应的电极结构构型。本发明通过采取Al组分含量渐变的薄AlGaN层、薄重掺p‑GaN接触层配合高反射的Ni/Au/Al电极的结构设计，可在保证LED表面形貌良好、欧姆接触良好、低工作电压的同时，减少AlGaN基深紫外LED器件对深紫外光的吸收，并反射大部分光到衬底，从而提高光提取效率。研究表明，本发明提出的薄层设计对于280nm的深紫外光的透过率超过60％，并且厚度越薄，深紫外光透过率越高，有效克服目前深紫外LED器件光提取效率低下的问题。
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公开(公告)号：CN110021690B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910209262.1
申请日：2019-03-19
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
IPC: H01L33/32 , H01L33/00 , H01L21/324 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法及其应用。所述降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法，包括：先通过刻蚀去除1/5‑1/2深度的n‑AlGaN层，再对刻蚀后的n‑AlGaN层表面进行高温处理。所述方法解决了现有高Al组分n‑AlGaN材料的欧姆接触问题，显著降低高Al组分n‑AlGaN材料的接触电阻，提高了材料的电学性能，由其制得的相关器件的工作电压可大幅降低，大大减少了器件的散热，进一步提高了器件的性能。
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