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发明公开
LED芯片、LED器件、消杀设备及LED芯片制备方法无效

公开(公告)号：CN115602776A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211152295.5

申请日：2022-09-21

Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司(CN)

Inventor： 张立胜 , 沈波 , 康香宁 , 许福军 , 秦志新

IPC: H01L33/46 , H01L33/00 , A61L2/10

Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片、LED器件、消杀设备及LED芯片制备方法，该LED芯片包括第一半导体层、多个凸台、反光膜、第一电极及第二电极，第一半导体层具有第一上表面；各凸台均凸设于第一上表面，各凸台包括发光层和第二半导体层，各凸台具有第二上表面及设于第二上表面周侧的六个侧表面，各侧表面均连接第一上表面和第二上表面；反光膜设于各侧表面；第一电极设于第一上表面并位于凹槽内；第二电极设于凸台的第二上表面。对于该LED芯片，在第一半导体层的第一上表面形成点状分布且具有六个侧表面的多个凸起，各侧表面附着有反光膜，该侧表面的反光膜能够将侧面光反射回出光面，降低了侧表面出光的光损耗，提高了LED芯片的出光效率。

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