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公开(公告)号：CN119287515A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411122349.2
申请日：2024-08-15
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种AlScN薄膜及其制备方法以及应用，包括以下步骤：S100、在蓝宝石衬底上外延生长GaN膜层，其表面粗糙度在0.5nm以内，S200、在步骤S100中的所述GaN膜层上依次原位生长AlGaN层和AlN层，所述AlGaN层的厚度为50nm至150nm，S300、对步骤S200中的所述AlN层进行离子轰击，得到具有高/低台面的AlN中间层，S400、在步骤S300中的所述AlN中间层上生长AlN外延膜，所述AlN外延膜的厚度为50nm至200nm，S500、在步骤S400中的所述AlN外延膜上沉积AlScN层，即得AlScN薄膜。本申请所述的制备方法能够制备得到晶体质量高、表面粗糙程度低且易剥离的AlScN薄膜。
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公开(公告)号：CN118444525A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410462704.4
申请日：2024-04-17
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种具有纳米压印图案的衬底的制备方法及应用。制备方法包括：在衬底表面沉积SiO2基层；在SiO2基层表面转印具有镂空转印图案的光刻胶层；依次对镂空转印图案处的SiO2基层和衬底进行蚀刻处理，获得具有镂空衬底图案的蚀刻结构；采用修复液于预设温度Tx处理预设时间tx，进行修复处理，以修复镂空衬底图案的孔壁，获得修复结构，其中，修复液包括NaOH、KOH、NH3OH中的至少一种，25℃≤Tx≤75℃，30s≤tx≤300s；对修复结构进行除SiO2处理，获得具有纳米压印图案的衬底。本申请在进行修复处理前，留存的SiO2图案层能够发挥防护作用和导向作用，以修复纳米压印图案的孔壁，从而获得孔壁陡直、图形完整的纳米压印图案。
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公开(公告)号：CN115799069A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310062157.6
申请日：2023-01-17
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
IPC: H01L21/335 , C23C16/20
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种P‑GaN增强型HEMT器件的制备方法。本发明的制备方法至少包括以下步骤：1）制作P‑GaN型外延片：依次在Si衬底上生长AlN/GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、Al截止层和P‑GaN帽层，即可得到所述P‑GaN型外延片；2）将所述P‑GaN型外延片清洗后进行光刻；3）将光刻后的所述P‑GaN型外延片采用刻蚀气体进行刻蚀；所述刻蚀气体包括含氟气体。本发明通过设置Al截止层，能与含氟气体反应形成性质稳定的聚合物，从而保护阻挡层不受损伤，具有较高的刻蚀选择比和刻蚀精度。
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公开(公告)号：CN119855475A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411988066.6
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
IPC: H10N30/076 , H10N30/079 , H10N30/853 , H03H9/56 , H03H9/58 , H03H9/17 , H03H3/02
Abstract: 本申请公开了一种AlScN薄膜衬底及其制备方法及应用。制备方法包括：在衬底表面生长Al薄膜层后，进行第一次热处理；然后，在Al薄膜层表面依次生长第一AlN层、第二AlN层和AlN岛结构层后，进行第二次热处理，AlN岛结构层的厚度为hx，5nm≤hx≤25nm，生长AlN岛结构层的温度为Tx，870℃≤Tx≤950℃，第二次热处理的温度为Ty，1100℃≤Ty≤1300℃；采用物理气相沉积法在进行第二次热处理后的AlN岛结构层表面生长AlScN薄膜，获得AlScN薄膜衬底。本申请通过在第二AlN层表面低温生长一层AlN岛结构，使得低温生长的AlN岛结构能够合并并在合并处形成位错聚集，并在第二次热处理后的AlN岛结构为PVD‑AlScN提供了良好的生长平台，降低了异质外延产生的应力积聚造成外延片翘曲过大的问题。
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公开(公告)号：CN116180233A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310465389.6
申请日：2023-04-27
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种高质量、低残留应力的AlN薄膜的制备方法及应用，涉及半导体技术领域；所述制备方法至少包括以下步骤：（1）在衬底材料上制备GaN外延膜层；（2）在（1）所述的GaN外延膜层上采用PVD技术制备AlN薄膜。本申请通过在PVD‑AlN底下首先生长GaN外延膜层，GaN外延膜层作为PVD‑AlN与衬底的中间层，能够为PVD‑ALN层提供优质的中间层基底，也有效地调和AlN薄膜与衬底之间的内部张应力，以使得到的AlN薄膜具有较好的晶体质量以及表面粗糙度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118407126A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410464599.8
申请日：2024-04-17
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种在Si衬底上实现高质量N极性III族氮化物厚膜的生长方法，首先在Si衬底上使用分子束外延(MBE)生长N极性Al(Sc)N缓冲层，然后在避免表层形成含氧层的情况下，使用物理气相沉积(PVD)在Al(Sc)N缓冲层上生长N极性III族氮化物加厚层。该方法充分利用了MBE与PVD生长各自的特点，MBE可以生长出较好质量的N极性缓冲层，给后续生长的N极性加厚层提供晶格取向与极性取向，同时利用PVD的应力调制能力将III族氮化物材料进行加厚从而达到需要的厚度要求，获得高质量的不开裂的N极性的III族氮化物厚膜。
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公开(公告)号：CN116867347B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311121195.0
申请日：2023-09-01
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
IPC: H10N30/04 , H10N30/076 , H10N30/093
Abstract: 本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及一种调节AlN异质外延面内应力的方法。本申请的调节异质外延面内应力的方法，包括以下步骤：1）在衬底背面沉积一层预制应力膜，得到背面带有预制应力膜的衬底；所述预制应力膜的材料与目标外延膜的材料相同；2）在无氧环境下，将背面带有预制应力膜的衬底进行退火处理；3）所述退火处理后，在背面带有预制应力膜的衬底的正面进行目标外延膜的沉积。本申请通过背部预制应力膜和退火处理的配合，能够抵消目标外延层受到的一部分甚至全部的面内应力，从而降低目标外延膜的翘曲度，减少或避免裂纹的产生。
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公开(公告)号：CN116867347A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311121195.0
申请日：2023-09-01
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
IPC: H10N30/04 , H10N30/076 , H10N30/093
Abstract: 本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及一种调节AlN异质外延面内应力的方法。本申请的调节异质外延面内应力的方法，包括以下步骤：1）在衬底背面沉积一层预制应力膜，得到背面带有预制应力膜的衬底；所述预制应力膜的材料与目标外延膜的材料相同；2）在无氧环境下，将背面带有预制应力膜的衬底进行退火处理；3）所述退火处理后，在背面带有预制应力膜的衬底的正面进行目标外延膜的沉积。本申请通过背部预制应力膜和退火处理的配合，能够抵消目标外延层受到的一部分甚至全部的面内应力，从而降低目标外延膜的翘曲度，减少或避免裂纹的产生。
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公开(公告)号：CN115566124A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211155044.2
申请日：2022-09-21
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED封装结构及LED封装方法，包括支架组件、LED芯片和透明盖板，支架组件具有容纳槽；LED芯片设于所述容纳槽内，且与所述容纳槽的底壁连接；透明盖板包括连接一体的出光部和传导部，所述传导部设于所述容纳槽内，所述传导部远离所述出光部的端面抵接所述LED芯片；本申请中LED封装结构能够提高LED芯片的出光率。
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公开(公告)号：CN119776990A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411763731.1
申请日：2024-12-03
Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司
IPC: C30B29/40 , C30B25/18 , C30B25/06 , H10N30/076
Abstract: 本申请涉及一种钪铝氮薄膜的制备方法，属于半导体材料领域。该钪铝氮薄膜的制备方法包括以下步骤：步骤1、获取基础衬底及在所述基础衬底上通过外延生长得到的功能性复合层，所述功能性复合层包括氮化铝基底层和氮化镓牺牲层；步骤2、将所述氮化镓牺牲层从所述氮化铝基底层表面剥离，得到含基础衬底及氮化铝基底层的模板；步骤3、在所述模板的所述氮化铝基底层上生长钪铝氮膜层。本申请在氮化铝基底层上外延生长氮化镓牺牲层，避免氮化铝基底层在不同工艺设备间转移过程中发生氧化，保证了氮化铝基底层的晶体质量，为后续外延生长高晶体质量的钪铝氮膜层提供条件，有利于提高钪铝氮薄膜的晶体质量和压电常数。
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