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公开(公告)号:CN101983439B
公开(公告)日:2012-12-12
申请号:CN200880010563.1
申请日:2008-04-03
Applicant: 剑桥显示技术有限公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L51/05
Abstract: 一种有机薄膜晶体管,其包括:衬底;限定沟道的源极电极和漏极电极;布置在源极电极和漏极电极之上的绝缘材料层;延伸穿过沟道的有机半导电材料层;电介质材料层;以及布置在电介质材料层之上的栅极电极。
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公开(公告)号:CN101983439A
公开(公告)日:2011-03-02
申请号:CN200880010563.1
申请日:2008-04-03
Applicant: 剑桥显示技术有限公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L51/05
Abstract: 一种有机薄膜晶体管,其包括:衬底;限定沟道的源极电极和漏极电极;布置在源极电极和漏极电极之上的绝缘材料层;延伸穿过沟道的有机半导电材料层;电介质材料层;以及布置在电介质材料层之上的栅极电极。
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