一种光催化剂1T/2H MoSe2/ZIS及其制备方法

    公开(公告)号:CN117244566B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202311524690.6

    申请日:2023-11-16

    Abstract: 本发明提出了一种光催化剂1T/2H MoSe2/ZIS及其制备方法,涉及半导体光催化技术领域,包括如下步骤:步骤1、制备ZIS光催化剂;步骤2、取步骤1制备的ZIS光催化剂以及Na2MoO4·2H2O、Se粉和NaBH4按摩尔比为(0.60‑1.20):(0.05‑0.15):(0.10‑0.30):(0.10‑0.30)加入到含酰胺基团的有机溶剂中搅拌吸附。步骤3、将步骤2所得的溶液转移至高压反应釜中,并在140‑210℃温度下保持12‑48h,分离沉淀物,对沉淀物进行清洗后干燥,获得负载有1T相和2H相MoSe2的ZIS。本发明协同温度调控和原位插层,提高MoSe2相转化率,增强1T相稳定性,为设计开发新型高效的可见光催化合成有机反应提供了新思路和途径。

    一种光催化剂1T/2H MoSe2/ZIS及其制备方法

    公开(公告)号:CN117244566A

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202311524690.6

    申请日:2023-11-16

    Abstract: 本发明提出了一种光催化剂1T/2H MoSe2/ZIS及其制备方法,涉及半导体光催化技术领域,包括如下步骤:步骤1、制备ZIS光催化剂;步骤2、取步骤1制备的ZIS光催化剂以及Na2MoO4·2H2O、Se粉和NaBH4按摩尔比为(0.60‑1.20):(0.05‑0.15):(0.10‑0.30):(0.10‑0.30)加入到含酰胺基团的有机溶剂中搅拌吸附。步骤3、将步骤2所得的溶液转移至高压反应釜中,并在140‑210℃温度下保持12‑48h,分离沉淀物,对沉淀物进行清洗后干燥,获得负载有1T相和2H相MoSe2的ZIS。本发明协同温度调控和原位插层,提高MoSe2相转化率,增强1T相稳定性,为设计开发新型高效的可见光催化合成有机反应提供了新思路和途径。

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