公开(公告)号：CN117244566B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311524690.6

申请日：2023-11-16

Applicant: 内蒙古工业大学

Inventor： 白杰 ,  李冠琼 ,  梁海欧 ,  许瞳 ,  孙映晖 ,  樊晓晔 ,  孙炜岩

IPC: B01J27/051 ,  B01J35/39 ,  C07C41/03 ,  C07C43/13

Abstract: 本发明提出了一种光催化剂1T/2H MoSe2/ZIS及其制备方法，涉及半导体光催化技术领域，包括如下步骤：步骤1、制备ZIS光催化剂；步骤2、取步骤1制备的ZIS光催化剂以及Na2MoO4·2H2O、Se粉和NaBH4按摩尔比为（0.60‑1.20）:（0.05‑0.15）:（0.10‑0.30）:（0.10‑0.30）加入到含酰胺基团的有机溶剂中搅拌吸附。步骤3、将步骤2所得的溶液转移至高压反应釜中，并在140‑210℃温度下保持12‑48h，分离沉淀物，对沉淀物进行清洗后干燥，获得负载有1T相和2H相MoSe2的ZIS。本发明协同温度调控和原位插层，提高MoSe2相转化率，增强1T相稳定性，为设计开发新型高效的可见光催化合成有机反应提供了新思路和途径。

公开(公告)号：CN117244566A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311524690.6

申请日：2023-11-16

Applicant: 内蒙古工业大学

Inventor： 白杰 ,  李冠琼 ,  梁海欧 ,  许瞳 ,  孙映晖 ,  樊晓晔 ,  孙炜岩

IPC: B01J27/051 ,  B01J35/00 ,  C07C41/03 ,  C07C43/13

Abstract: 本发明提出了一种光催化剂1T/2H MoSe2/ZIS及其制备方法，涉及半导体光催化技术领域，包括如下步骤：步骤1、制备ZIS光催化剂；步骤2、取步骤1制备的ZIS光催化剂以及Na2MoO4·2H2O、Se粉和NaBH4按摩尔比为（0.60‑1.20）:（0.05‑0.15）:（0.10‑0.30）:（0.10‑0.30）加入到含酰胺基团的有机溶剂中搅拌吸附。步骤3、将步骤2所得的溶液转移至高压反应釜中，并在140‑210℃温度下保持12‑48h，分离沉淀物，对沉淀物进行清洗后干燥，获得负载有1T相和2H相MoSe2的ZIS。本发明协同温度调控和原位插层，提高MoSe2相转化率，增强1T相稳定性，为设计开发新型高效的可见光催化合成有机反应提供了新思路和途径。

公开(公告)号：CN114870869A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210645738.8

申请日：2022-06-09

Applicant: 内蒙古工业大学

Inventor： 梁海欧 ,  白杰 ,  李春萍 ,  刘丹丹 ,  李冠琼 ,  张茜 ,  张乾坤

IPC: B01J27/04 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明提供了一种具有表面缺陷的CdZnS纳米棒光催化材料及其制备方法和应用，属于光催化材料技术领域。首先将硝酸镉、硝酸锌、硫脲和溶剂进行混合，然后将混合液进行溶剂热反应，生成CdZnS纳米棒光催化剂。该方法制备过程简单、高效、周期短，反应原料丰富、价格低廉，易于大规模生产。该发明所制备的表面缺陷的CdZnS纳米棒光催化材料，表面具有无序层，形成了表面缺陷硫空位，能够调节能带结构，有效提升光生电子和空穴的分离率，空位的引入增加了材料表面析氢活性位点。该具有表面缺陷的CdZnS纳米棒光催化材料可作为光催化剂应用于可见光分解水产氢。